[發明專利]一種低純度單壁碳納米管的提純方法

無效

• 申請號: 201110428517.7
• 申請日: 2011-12-19
• 公開（公告）號: CN102515142A
• 公開（公告）日: 2012-06-27
• 發明（設計）人: 張亞非;蘇言杰;張麗玲;魏浩;楊志
• 申請（專利權）人: 上海交通大學
• 主分類號: C01B31/02
• 分類號: C01B31/02;B82Y40/00
• 代理公司: 上海科盛知識產權代理有限公司 31225
• 代理人: 葉敏華

1.一種低純度單壁碳納米管的提純方法，其特征在于，該方法包括以下步驟：

(1)將低純度單壁碳納米管經空氣氧化處理后與表面活性劑混合超聲分散；

(2)對分散均勻的單壁碳納米管溶液分別進行低速、超聲分散-高速離心分離；

(3)將高速離心后的上清液壓濾后與雙氧水混合并加熱回流；

(4)將單壁碳納米管溶液抽濾至中性、干燥即得到純單壁碳納米管。

2.根據權利要求1所述的一種低純度單壁碳納米管的提純方法，其特征在于，步驟(1)中所述的空氣氧化處理為將含有單壁碳納米管的電弧放電產物放入空氣爐中，在360～450℃下氧化處理30～60min。

3.根據權利要求1所述的一種低純度單壁碳納米管的提純方法，其特征在于，步驟(1)中所述的表面活性劑為十二烷基硫酸鈉(SDS)、十二烷基苯磺酸鈉(SDBS)或市售的曲拉通X-100。

4.根據權利要求1所述的一種低純度單壁碳納米管的提純方法，其特征在于，步驟(1)中所述的超聲分散處理為在功率為3W/mL條件下超聲分散30～60min。

5.根據權利要求1所述的一種低純度單壁碳納米管的提純方法，其特征在于，步驟(1)中所述的低純度單壁碳納米管在表面活性劑的含量為1～2wt％。

6.根據權利要求1所述的一種低純度單壁碳納米管的提純方法，其特征在于，步驟(2)中所述的低速離心分離為6000～9000rpm離心分離30～60min。

7.根據權利要求1所述的一種低純度單壁碳納米管的提純方法，其特征在于，步驟(2)中所述的超聲分散-高速離心分離為先對低速離心后的上清液超聲分散10～20min，然后再進行12000～14000rpm離心分離30～60min。

8.根據權利要求1所述的一種低純度單壁碳納米管的提純方法，其特征在于，步驟(3)中所述的上清液壓濾后與雙氧水混合后在100℃回流4～8h。