[發(fā)明專利]疊層封裝和用于選擇疊層封裝中的芯片的方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201110428495.4
• 申請日: 2011-12-20
• 公開（公告）號(hào): CN102568562A
• 公開（公告）日: 2012-07-11
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李大雄;黃有景;孫在現(xiàn);姜泰敏;尹喆根;李丙燾;金裕桓
• 申請（專利權(quán)）人: 海力士半導(dǎo)體有限公司
• 主分類號(hào): G11C11/4063
• 分類號(hào): G11C11/4063;H01L25/065
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105
• 代理人: 錢大勇

1.一種疊層封裝，具有多個(gè)芯片，包括：

第一降壓單元，分別在多個(gè)芯片中形成；

第二降壓單元，分別在多個(gè)芯片中形成；

第一信號(hào)產(chǎn)生單元，并聯(lián)連接到由串聯(lián)連接第一降壓單元形成的第一線路，分別在多個(gè)芯片中形成，并且被配置為根據(jù)第一線路的電壓施加高電平信號(hào)；

第二信號(hào)產(chǎn)生單元，并聯(lián)連接到由串聯(lián)連接第二降壓單元形成的第二線路，分別在多個(gè)芯片中形成，并且被配置為根據(jù)第二線路的電壓施加高電平信號(hào)；和

芯片選擇信號(hào)產(chǎn)生單元，分別在多個(gè)芯片中形成，并且被配置為組合從第一信號(hào)產(chǎn)生單元和第二信號(hào)產(chǎn)生單元輸出的信號(hào)并且生成芯片選擇信號(hào)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的疊層封裝，其中該各個(gè)第一降壓單元和各個(gè)第二降壓單元是在多個(gè)芯片中形成的硅通孔。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的疊層封裝，其中該硅通孔包括從由金(Au)、銀(Ag)、銅(Cu)、鋁(Al)、鎳(Ni)、鎢(W)、鈦(Ti)、鉑(Pt)、鈀(Pd)、錫(Sn)、鉛(Pb)、鋅(Zn)、銦(In)、鎘(Cd)、鉻(Cr)和鉬(Mo)、那些金屬的氮化物、或多晶硅構(gòu)成的組中選擇出的至少任何一個(gè)金屬。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的疊層封裝，其中該各個(gè)第一降壓單元和各個(gè)第二降壓單元是在多個(gè)芯片中形成的各個(gè)硅通孔上形成的電阻器。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的疊層封裝，其中當(dāng)?shù)谝痪€路的電壓等于或大于預(yù)設(shè)電壓時(shí)，該第一信號(hào)產(chǎn)生單元施加高電平信號(hào)，以及當(dāng)?shù)诙€路的電壓等于或大于預(yù)設(shè)電壓時(shí)，第二信號(hào)產(chǎn)生單元施加高電平信號(hào)。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的疊層封裝，其中該第一信號(hào)產(chǎn)生單元包括第一二極管，以及第二信號(hào)產(chǎn)生單元包括第二二極管。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的疊層封裝，其中該芯片選擇信號(hào)產(chǎn)生單元包括一個(gè)或多個(gè)邏輯門，其接收從第一二極管和第二二極管輸出的信號(hào)作為輸入信號(hào)。

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的疊層封裝，其中該芯片選擇信號(hào)產(chǎn)生單元包括AND門或NOR門，其接收從第一二極管和第二二極管輸出的信號(hào)作為輸入信號(hào)。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的疊層封裝，其中第一信號(hào)產(chǎn)生單元包括第一晶體管，其柵電極并聯(lián)連接到第一線路，第二信號(hào)產(chǎn)生單元包括第二晶體管，其柵電極并聯(lián)連接到第二線路，以及芯片選擇信號(hào)產(chǎn)生單元具有雙晶體管結(jié)構(gòu)，其中第一晶體管的漏電極和第二晶體管的源電極彼此連接，以及芯片選擇信號(hào)從第一晶體管的源電極或第二晶體管的漏電極生成。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的疊層封裝，其中第一線路和第二線路的電流流動(dòng)方向彼此相反。

11.一種疊層封裝，具有多個(gè)芯片，包括：

第一降壓單元，分別在多個(gè)芯片中形成；

第二降壓單元，分別在多個(gè)芯片中形成；和

電壓比較器，被配置為比較由串聯(lián)連接第一降壓單元形成的第一線路的芯片的電壓與由串聯(lián)連接第二降壓單元形成的第二線路的芯片的電壓，并且生成芯片選擇信號(hào)。

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的疊層封裝，其中第一降壓單元和第二降壓單元是硅通孔。

13.一種用于在具有多個(gè)芯片的疊層封裝中選擇芯片的方法，包括：

向由串聯(lián)連接分別在多個(gè)芯片中形成的第一降壓單元形成的第一線路施加第一電壓，以及向由串聯(lián)連接分別在多個(gè)芯片中形成的第二降壓單元形成的第二線路施加第二電壓；

根據(jù)各個(gè)芯片中的第一線路的電壓從第一信號(hào)產(chǎn)生單元生成第一信號(hào)，以及根據(jù)各個(gè)芯片中的第二線路的電壓從第二信號(hào)產(chǎn)生單元生成第二信號(hào)；以及

組合第一信號(hào)和第二信號(hào)并且生成芯片選擇信號(hào)。

14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其中，在向由串聯(lián)連接分別在多個(gè)芯片中形成的第一降壓單元形成的第一線路施加第一電壓以及向由串聯(lián)連接分別在多個(gè)芯片中形成的第二降壓單元形成的第二線路施加第二電壓中，第一降壓單元和第二降壓單元是硅通孔。

15.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其中，在向由串聯(lián)連接分別在多個(gè)芯片中形成的第一降壓單元形成的第一線路施加第一電壓以及向由串聯(lián)連接分別在多個(gè)芯片中形成的第二降壓單元形成的第二線路施加第二電壓中，第一線路和第二線路的電流流動(dòng)方向彼此相反。