[發明專利]一種選擇性擴散方阻測試的方法無效
| 申請號： | 201110428467.2 | 申請日： | 2011-12-19 |
| 公開（公告）號： | CN102539919A | 公開（公告）日： | 2012-07-04 |
| 發明（設計）人： | 彭江;黃書斌;胡黨平;倪正中;趙文祥;王志剛;魏青竹;孫利國 | 申請（專利權）人： | 中利騰暉光伏科技有限公司 |
| 主分類號： | G01R27/02 | 分類號： | G01R27/02 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 215542 江蘇省*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 選擇性 擴散 測試 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種選擇性擴散方阻測試的方法，其特征在于包括以下步驟：
步驟①，選擇晶體硅片，進行重摻雜，令其方塊電阻為40-55Ω/□；
步驟②，對擴散面柵線處進行噴涂臘；
步驟③，放入回刻設備中進行無機酸/堿性刻蝕，形成選擇性發射極面，制得選擇性發射極晶體硅片；
步驟④，取出步驟③制備好的選擇性發射極晶體硅片，放入四探針測試設備中；
步驟⑤，選擇探針移動步徑，對選擇性發射極晶體硅片進行與探針移動步徑對應的逐步方塊電阻測試，獲取數據組；
步驟⑥，對數據組用Minitab軟件進行分析，得到曲線圖，包含方塊電阻大小數據、均勻性數據、重擴散區域方塊電阻的大小數據。
2.根據權利要求1所述的一種選擇性擴散方阻測試的方法，其特征在于：所述的形成選擇性發射極面過程中，令輕擴散區方塊電阻值≥75Ω/□。
3.根據權利要求1所述的一種選擇性擴散方阻測試的方法，其特征在于：所述的選擇性發射極晶體硅片放入四探針測試設備中時，保證四根探針位于同一直線上并與副柵線重擴散區平行。
4.根據權利要求1所述的一種選擇性擴散方阻測試的方法，其特征在于：所述探針移動步徑0.01mm-0.5mm。
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