[發明專利]一種電極點間距可調整的微電極陣列

有效

• 申請號: 201110428383.9
• 申請日: 2011-12-19
• 公開（公告）號: CN102556932A
• 公開（公告）日: 2012-07-11
• 發明（設計）人: 劉景全;康曉洋;田鴻昌;楊春生
• 申請（專利權）人: 上海交通大學
• 主分類號: B81B1/00
• 分類號: B81B1/00;B81C1/00;G01N27/00
• 代理公司: 上海漢聲知識產權代理有限公司 31236
• 代理人: 郭國中

1.一種電極點間距可調整的微電極陣列，包括：依次設置并組成復合結構的微電極陣列結構層、電極電路層和微電極陣列覆蓋層，微電極陣列覆蓋層與組織直接接觸，電極電路層中設置有電極點，其特征在于，所述電極電路層中還包括設置在電極點之間且方便調整電極點間距的緩沖結構。

2.根據權利要求1所述的電極點間距可調整的微電極陣列，其特征是，所述的方便調整電極點間距的緩沖結構是由一系列小圓弧構成的。

3.根據權利要求2所述的電極點間距可調整的微電極陣列，其特征是，所述小圓弧的數量為1-10000個，小圓弧的半徑為0.1-15000μm，小圓弧的弧度為0.01-2πrad。

4.根據權利要求1-3任一項所述的電極點間距可調整的微電極陣列，其特征是，所述方便調整電極點間距的緩沖結構的拉伸角度為0-360°，在拉伸過程中保證電極陣列結構層與覆蓋層在其彈性限度內。

5.根據權利要求1所述的電極點間距可調整的微電極陣列，其特征是，所述微電極陣列覆蓋層覆蓋于微電極陣列結構層上除電極點和與外圍電路的連接點以外位置。

6.根據權利要求1或5所述的電極點間距可調整的微電極陣列，其特征是，所述微電極陣列結構層與覆蓋層的材料是PDMS，或是Parylene。

7.根據權利要求6所述的電極點間距可調整的微電極陣列，其特征是，所述微電極陣列結構層的長度×寬度×厚度為5×5×0.001mm-150×150×1mm。

8.根據權利要求6所述的電極點間距可調整的微電極陣列，其特征是，所述微電極陣列覆蓋層的長度×寬度×厚度為5×5×0.001mm-150×150×1mm。

9.根據權利要求6所述的電極點間距可調整的微電極陣列，其特征是，所述電極電路層中連接線寬為10nm-1000μm；電極點的橫截面積為1μm²-10000μm²。

10.根據權利要求1所述的電極點間距可調整的微電極陣列，其特征是，所述電極電路層中電極點的形狀、分布密度，以及所述方便調整電極點間距的緩沖結構的分布距離、分布密度，均能根據需要調整。