[發明專利]電極點間距可超過微加工精度的微電極陣列及其制備方法

有效

• 申請號: 201110428382.4
• 申請日: 2011-12-19
• 公開（公告）號: CN102556931A
• 公開（公告）日: 2012-07-11
• 發明（設計）人: 劉景全;康曉洋;田鴻昌;楊春生
• 申請（專利權）人: 上海交通大學
• 主分類號: B81B1/00
• 分類號: B81B1/00;B81C1/00;G01N27/00
• 代理公司: 上海漢聲知識產權代理有限公司 31236
• 代理人: 郭國中

1.一種電極點間距可超過微加工精度的微電極陣列，包括：依次設置并組成復合結構的微電極陣列結構層、電極電路層和微電極陣列覆蓋層，所述微電極陣列覆蓋層與待測組織直接接觸，電極電路層中設置有至少兩列緊密排列且達到微加工精度間距的電極點，其特征在于，所述至少兩列緊密排列的電極點切割為兩個能相對滑動的模塊，即第一微電極陣列模塊和第二微電極陣列模塊，這兩模塊相對滑動時形成更小的電極點間距。

2.根據權利要求1所述的電極點間距可超過微加工精度的微電極陣列，其特征是，所述的第一微電極陣列模塊和第二微電極陣列模塊依附在硬質基底上。

3.根據權利要求1或2所述的電極點間距可超過微加工精度的微電極陣列，其特征是，所述的兩個微電極陣列模塊上的電極點的中心構成等邊三角形的頂點。

4.根據權利要求3所述的電極點間距可超過微加工精度的微電極陣列，其特征是，所述的微電極陣列電極點的半徑為該微電極陣列微加工過程中的最高精度，即指光刻過程中能夠獲得的直徑最小的圓，范圍為0.01μm-100μm。

5.根據權利要求4所述的電極點間距可超過微加工精度的微電極陣列，其特征是，所述的相鄰電極點中心之間的距離，范圍為0.04μm-400μm。

6.根據權利要求1所述的電極點間距可超過微加工精度的微電極陣列，其特征是，所述的電極點之間的最小距離由滑動之前的相鄰電極點中心之間的距離變為該距離的0.866倍。

7.根據權利要求1所述的電極點間距可超過微加工精度的微電極陣列，其特征是，所述的微電極陣列覆蓋層覆蓋于微電極陣列結構層上除電極點以外位置。

8.如權利要求1-7所述的電極點間距可超過微加工精度的微電極陣列的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：

首先在Si片上甩正膠并圖形化，濺射貴金屬種子層，采用Lift-off工藝去光刻膠，圖形化種子層，構成電極電路層；

然后再沉積Parylene-C，第二次把光刻膠圖形化，使用反應離子刻蝕把Parylene-C刻穿，露出電極點，構成微電極陣列覆蓋層；

Si片基底作為結構層，使用紫外激光把微電極陣列從兩列緊密排列的電極點之間切割為兩個模塊，方便這兩個模塊的相對滑動。

9.如權利要求8所述的電極點間距可超過微加工精度的微電極陣列的制備方法，其特征在于，所述切割過程或者作為反應離子刻蝕步驟中的一部分來完成。

10.如權利要求8或9所述的電極點間距可超過微加工精度的微電極陣列的制備方法，其特征在于，所述兩個滑動模塊或者通過相同的方法獨立制備。