[發(fā)明專利]用于粉體顆粒表面鍍膜的對(duì)靶磁控濺射裝置及鍍膜方法無(wú)效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201110427553.1 | 申請(qǐng)日: | 2011-12-19 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN103160795A | 公開(kāi)(公告)日: | 2013-06-19 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 曹瑞軍;林晨光;林中坤 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 北京有色金屬研究總院 |
| 主分類號(hào): | C23C14/35 | 分類號(hào): | C23C14/35 |
| 代理公司: | 北京北新智誠(chéng)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11100 | 代理人: | 劉茵 |
| 地址: | 100088 *** | 國(guó)省代碼: | 北京;11 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 用于 顆粒 表面 鍍膜 磁控濺射 裝置 方法 | ||
1.一種用于粉體顆粒表面鍍膜的對(duì)靶磁控濺射裝置,其特征在于:該裝置包括真空室、兩端開(kāi)口的滾筒、兩個(gè)帶限位斜面的支撐輥、電機(jī)及調(diào)速裝置、兩個(gè)磁控濺射靶架和濺射電源;
其中,該支撐輥與電機(jī)及調(diào)速裝置相連,各支撐輥軸向水平、相互平行且位于相同水平高度;
該滾筒軸向水平放置在支撐輥上,滾筒內(nèi)裝載粉體顆粒和/或與粉體相同材質(zhì)的研磨球;
該兩個(gè)磁控濺射靶架分別置于該滾筒的兩端開(kāi)口外側(cè),靶架上放置靶材,靶材的軸心與滾筒軸向?qū)R;
該真空室與真空抽氣裝置連接,真空室上設(shè)置觀察窗和放氣閥,該滾筒、支撐輥和靶架置于真空室中。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置,其特征在于:所述滾筒的開(kāi)口處邊緣向內(nèi)側(cè)傾斜形成斜面,傾斜角度θ為120~160度,滾筒開(kāi)口處的內(nèi)徑d1=d2/3~3d2/4,其中,d2為滾筒內(nèi)徑。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的裝置,其特征在于:所述支撐輥的長(zhǎng)度與滾筒長(zhǎng)度相同,其限位斜面的傾斜角度與所述滾筒的開(kāi)口處邊緣斜面的傾斜角度θ相同。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的裝置,其特征在于:所述支撐輥的外徑d3=(d2+δ)/2~3(d2+δ)/2,δ為滾筒的壁厚,支撐輥的限位斜面寬度b1=b2/3~b2,b2為滾筒開(kāi)口處的斜面寬度。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的裝置,其特征在于:所述滾筒的內(nèi)壁上均勻地設(shè)有肋片,肋片的走向與滾筒軸向平行,肋片的數(shù)量為4~12個(gè),肋片的高度h=d2/25~d2/5,肋片的寬度a=h/6~h。
6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的裝置,其特征在于:所述濺射靶架與滾筒開(kāi)口處之間的距離為3cm~20cm。
7.應(yīng)用權(quán)利要求1-6中任一項(xiàng)所述的裝置對(duì)粉體顆粒表面鍍膜的方法,其特征在于,包括如下步驟:
A.打開(kāi)真空室,將粉體顆粒與研磨球放入滾筒中,滾筒置于支持輥上;
B.將所需靶材安裝在靶架上,并將靶的軸心與滾筒的軸心對(duì)齊;
C.關(guān)閉真空室,打開(kāi)真空抽氣裝置,將真空室的真空抽到1×10-4Pa~8×10-3Pa;D.向真空室充入氬氣,用質(zhì)量流量計(jì)控制流量,保證濺射時(shí)真空室工作氣壓為0.2Pa~2Pa;
E.開(kāi)啟電機(jī),支持輥旋轉(zhuǎn)帶動(dòng)滾筒滾動(dòng),調(diào)節(jié)電機(jī)的轉(zhuǎn)速,使?jié)L筒中的研磨球與粉體顆粒呈拋物線下落;
F.打開(kāi)濺射電源,調(diào)節(jié)功率使靶材單位面積上的功率在2W/cm2~6W/cm2,開(kāi)始濺射鍍膜;
G.達(dá)到需要濺射的膜的厚度后,關(guān)閉靶的電源,停止濺射;
H.按順序關(guān)閉流量計(jì)、真空系統(tǒng),打開(kāi)放氣閥緩慢向真空室內(nèi)放氣,當(dāng)真空室內(nèi)壓力與大氣壓力平衡后,打開(kāi)真空室,取出滾筒,將研磨球與粉體過(guò)篩,獲得鍍膜的粉體。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于:所述研磨球的材質(zhì)與粉體的材質(zhì)相同,或者對(duì)粉體不會(huì)造成污染,研磨球的直徑為3~20mm。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法,其特征在于:所述粉體與研磨球的質(zhì)量比為0.2~3∶1,粉體與研磨球的總體積不超過(guò)滾筒體積的45%。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法,其特征在于:滾筒的轉(zhuǎn)速調(diào)節(jié)范圍為臨界轉(zhuǎn)速的0.5~0.96倍,臨界轉(zhuǎn)速為轉(zhuǎn)/分種,d2為滾筒的內(nèi)徑,單位為m。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于北京有色金屬研究總院,未經(jīng)北京有色金屬研究總院許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買(mǎi)此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201110427553.1/1.html,轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來(lái)源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 同類專利
- 專利分類
C23C 對(duì)金屬材料的鍍覆;用金屬材料對(duì)材料的鍍覆;表面擴(kuò)散法,化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C14-00 通過(guò)覆層形成材料的真空蒸發(fā)、濺射或離子注入進(jìn)行鍍覆
C23C14-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C14-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物
C23C14-06 .以鍍層材料為特征的
C23C14-22 .以鍍覆工藝為特征的
C23C14-58 .后處理





