[發明專利]半導體器件及其制造方法

有效

• 申請號: 201110427177.6
• 申請日: 2011-12-19
• 公開（公告）號: CN102593119A
• 公開（公告）日: 2012-07-18
• 發明（設計）人: 李孟烈
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L27/02
• 分類號: H01L27/02;H01L27/06;H01L21/8249
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 李敬文

1.一種半導體器件，包括：

輸出端口，包括第一橫向雙擴散金屬氧化物半導體LDMOS器件；以及

靜電放電保護器件，包括第二LDMOS器件和雙極晶體管，該靜電放電保護器件保護所述輸出端口免受靜電放電，

第二LDMOS器件的擊穿電壓等于或低于第一LDMOS器件的擊穿電壓。

2.根據權利要求1所述的半導體器件，其中第一LDMOS器件包括：

在襯底上的第一柵極，

在第一柵極一側的第一源區，所述第一源區具有第一導電類型，

第一本體區，在所述第一源區下面并包圍所述第一源區，該第一本體區具有第二導電類型，所述第二導電類型與所述第一導電類型不同，

在第一本體區中的第一本體觸點區，該第一本體觸點區具有第二導電類型，

在第一柵極另一側的第一漏區，所述第一漏區具有第一導電類型，

在襯底中并在第一源區和第一漏區之間的第一隔離區，該第一隔離區與第一柵極的一部分交疊，

在第一本體區下面的第一深阱，該第一深阱具有第二導電類型，

在第一深阱下面的第一埋層，該第一埋層具有第一導電類型。

3.根據權利要求2所述的半導體器件，其中所述第二LDMOS器件包括：

在襯底上的第二柵極，

在第二柵極一側的第二本體區，所述第二本體區具有第二導電類型，

在第二本體區中的第二本體觸點區，該第二本體觸點區具有第二導電類型，

在第二柵極另一側的第二漏區，所述第二漏區具有第一導電類型，

在襯底中并在第二本體區和第二漏區之間的第二隔離區，該第二隔離區與第二柵極的一部分交疊，

在第二本體區下面的第二深阱，該第二深阱具有第二導電類型，和

在第二深阱下面的第二埋層，該第二埋層具有第一導電類型。

4.根據權利要求3所述的半導體器件，其中所述第二LDMOS器件包括在第二本體區中的第二源區，該第二源區具有第一導電類型。

5.根據權利要求3所述的半導體器件，其中所述雙極晶體管包括：

與第二本體區隔開的發射區，該發射區具有第一導電類型，

基極區，在發射區下面并包圍該發射區，該基極區具有第二導電類型，以及

第二漏區。

6.根據權利要求5所述的半導體器件，其中所述雙極晶體管包括在基極區下面的外延層。

7.根據權利要求5所述的半導體器件，其中基極區與第二深阱之間是非交疊關系。

8.根據權利要求5所述的半導體器件，其中基極區的摻雜濃度高于第二深阱的摻雜濃度并低于第二本體區的摻雜濃度。

9.根據權利要求5所述的半導體器件，其中從襯底的底面到基極區的底面的第一距離大于從襯底的底面到第二本體區的底面的第二距離。

10.根據權利要求5所述的半導體器件，其中：

第一LDMOS器件包括在第一隔離區和第一漏區下面并包圍該第一隔離區和第一漏區的第一漂移區，該第一漂移區具有第一導電類型，和

第二LDMOS器件包括在第二隔離區和第二漏區下面并包圍該第二隔離區和第二漏區的第二漂移區，該第二漂移區具有第一導電類型。

11.根據權利要求5所述的半導體器件，其中第二隔離區的長度等于或小于第一隔離區的長度。

12.根據權利要求5所述的半導體器件，其中第二隔離區和第二深阱之間的第二交疊長度等于或大于第一隔離區和第一深阱之間的第一交疊長度。

13.根據權利要求5所述的半導體器件，其中基極區的一部分與第二深阱的一部分相互交疊。

14.根據權利要求13所述的半導體器件，其中基極區的實質上整個區域與第二深阱之間是非交疊關系。

15.根據權利要求3所述的半導體器件，其中所述雙極晶體管包括：

在第二本體區中的發射區，該發射區具有第一導電類型，

包圍所述發射區的第二本體區，和

第二漏區。