[發明專利]一種基于IGBT串聯損耗優化電壓自適應控制方法有效
| 申請號: | 201110426588.3 | 申請日: | 2011-12-19 |
| 公開(公告)號: | CN103166435A | 公開(公告)日: | 2013-06-19 |
| 發明(設計)人: | 溫家良;陳中圓;韓健;吳銳;蔚泉清;賈娜;龐宇剛 | 申請(專利權)人: | 中國電力科學研究院 |
| 主分類號: | H02M1/08 | 分類號: | H02M1/08 |
| 代理公司: | 北京安博達知識產權代理有限公司 11271 | 代理人: | 徐國文 |
| 地址: | 100192 北*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 基于 igbt 串聯 損耗 優化 電壓 自適應 控制 方法 | ||
1.一種基于IGBT串聯損耗優化電壓自適應控制方法,其特征在于,所述方法包括以下步驟:
(1)檢測IGBT端電壓;
(2)調整主開關階段的時間;
(3)調整預開關階段的時間。
2.根據權利要求1所述的方法,其特征在于,所述調整主開關階段包括調整主開通階段和調整主關斷階段;所述調整預開關階段包括調整預開通階段和調整預關斷階段。
3.根據權利要求2所述的方法,其特征在于,所述調整主開關階段中,由各自獨立的驅動電路控制每個IGBT;IGBT的驅動電路由同一個閥基控制單元提供控制信號。
4.根據權利要求3所述的方法,其特征在于,所述步驟(2)調整主開關階段的時間分為下述兩個步驟:
(2-1)通過所述步驟(1)檢測IGBT端電壓,對IGBT開關時電壓變化率dv/dt與閥基控制單元傳遞來的參考電壓電壓變化率dv/dt進行比較,判斷兩者之間的差異性,確定向上級傳遞降低或提高dv/dt的信號,閥基控制單元依據驅動單元傳遞的信號調整參考電壓dv/dt;
(2-2)通過所述步驟(1)檢測IGBT端電壓,將IGBT開關時電壓變化率dv/dt與閥基控制單元傳遞來的參考電壓電壓變化率dv/dt進行比較,確定降低或提高參考電壓dv/dt,傳遞至下級參與IGBT電壓平衡控制電壓。
5.根據權利要求2所述的方法,其特征在于,在各驅動單元上進行所述步驟(3)調整預開關階段的時間,各個IGBT相互獨立,驅動單元檢測vout電壓波形,將檢測到的IGBT實際延遲時間與參考電壓給定的預開關時間進行比較,確定增加或減少參考電壓給定的預開關時間。
6.根據權利要求4-5任一項權利要求所述的方法,其特征在于,所述預開關階段和主開關階段調整彼此獨立。
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