[發(fā)明專利]太陽能電池用的透明導電膜用組合物及透明導電膜無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201110426565.2 | 申請日: | 2011-12-19 |
| 公開(公告)號: | CN102610667A | 公開(公告)日: | 2012-07-25 |
| 發(fā)明(設計)人: | 日向野憐子;米澤岳洋;泉禮子;山崎和彥 | 申請(專利權)人: | 三菱綜合材料株式會社 |
| 主分類號: | H01L31/0224 | 分類號: | H01L31/0224;H01L31/18 |
| 代理公司: | 北京德琦知識產(chǎn)權代理有限公司 11018 | 代理人: | 陳萬青;王珍仙 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 太陽能電池 透明 導電 組合 | ||
技術領域
本發(fā)明涉及一種透明導電膜用組合物及透明導電膜。更詳細而言,涉及一種薄膜太陽能電池用的透明導電膜用組合物及透明導電膜。
背景技術
目前,從環(huán)境保護的立場,正在推進清潔能源的研究開發(fā)和實用化,從作為能源的太陽光取之不盡且為無公害等方面,太陽能電池備受矚目。以往,太陽能電池一直利用單晶硅或多晶硅塊狀太陽能電池,但是由于塊狀太陽能電池的制造成本高且生產(chǎn)率也低,因此急需開發(fā)盡量節(jié)約硅量的太陽能電池。
因此,致力開發(fā)利用厚度例如為0.3~2μm的非晶硅等的半導體的薄膜太陽能電池。該薄膜太陽能電池由于是在玻璃基板或耐熱性塑料基板上形成光電轉換所需的量的半導體層的結構,因此有薄型且輕量、低成本及容易大面積化等優(yōu)點。
薄膜太陽能電池有覆板(ス一パ一ストレ一ト)結構和基板(サブストレ一ト)結構,覆板型結構由于從透光性基板側入射太陽光,因此通常采取以基板-透明電極-光電轉換層-背面電極的順序形成的結構。另一方面,基板型結構通常采取以基板-背面電極-光電轉換層-透明電極的順序形成的結構。
以往,該薄膜太陽能電池中,電極或反射膜以濺射等真空成膜法形成,但是一般在導入、維持及運行大型的真空成膜裝置時需要巨大成本。為了改良這一點,公開了利用透明導電膜用組合物和導電性反射膜用組合物以作為更加廉價的制造方法的濕式涂布法形成透明導電膜和導電性反射膜的技術(專利文獻1)。
專利文獻1:日本專利公開2009-88489號公報
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的課題在于對通過上述的濕式涂布法制造的透明導電膜進行改良。本發(fā)明人等發(fā)現(xiàn),通過對透明導電膜用組合物進行改良且加大在濕式涂布法中使用的透明導電膜的折射率與光電轉換層的折射率之差來增加透明導電膜-光電轉換層界面處的反射光,且能夠通過該增加的返回至光電轉換層的光提高薄膜太陽能電池的發(fā)電效率。該方法均可應用于覆板型薄膜太陽能電池、基板型薄膜太陽能電池或塊狀硅太陽能電池,尤其適于覆板型薄膜太陽能電池。
本發(fā)明涉及一種通過以下所示的方案解決上述課題的薄膜太陽能電池用的透明導電膜用組合物及透明導電膜。
(1)一種薄膜太陽能電池用的透明導電膜用組合物,其中,包含導電性氧化物顆粒、平均粒徑為1~50nm的各向異性氟化鎂顆粒及粘合劑,相對于導電性氧化物顆粒和各向異性氟化鎂顆粒的合計100質量份,包含2~35質量份的各向異性氟化鎂顆粒。
(2)如上述(1)所述的薄膜太陽能電池用的透明導電膜用組合物,其中,粘合劑為通過加熱而固化的聚合物型粘合劑和/或非聚合物型粘合劑。
(3)如上述(2)所述的薄膜太陽能電池用的透明導電膜用組合物,其中,非聚合物型粘合劑為選自金屬皂、金屬絡合物、金屬醇鹽、鹵代硅烷類、2-烷氧基乙醇、β-二酮及烷基醋酸酯中的至少一種。
(4)一種薄膜太陽能電池用的透明導電膜,其中,包含導電性氧化物顆粒、平均粒徑為1~50nm的各向異性氟化鎂顆粒及固化的粘合劑,相對于導電性氧化物顆粒和各向異性氟化鎂顆粒的合計100質量份,包含2~35質量份的各向異性氟化鎂顆粒。
(5)如上述(4)所述的薄膜太陽能電池用的透明導電膜,其中,粘合劑為聚合物型粘合劑和/或非聚合物型粘合劑。
(6)如上述(5)所述的薄膜太陽能電池用的透明導電膜,其中,非聚合物型粘合劑為選自金屬皂、金屬絡合物、金屬醇鹽、鹵代硅烷類、2-烷氧基乙醇、β-二酮及烷基醋酸酯中的至少一種。
(7)一種薄膜太陽能電池,包含上述(4)~(6)中任一項所述的薄膜太陽能電池用的透明導電膜。
(8)一種透明導電膜的制造方法,為具備基材、透明電極層、光電轉換層及透明導電膜的薄膜太陽能電池的透明導電膜的制造方法,其中,通過濕式涂布法在光電轉換層上涂布上述(1)~(3)中任一項所述的透明導電膜用組合物來形成透明導電涂膜之后,以130~400℃燒成具有透明導電涂膜的基材來形成厚度為0.03~0.5μm的透明導電膜。
(9)如上述(8)所述的透明導電膜的制造方法,其中,濕式涂布法為噴涂法、點膠機涂布法(デイスペンサ一コ一テイング法)、旋涂法、刮涂法、狹縫涂布法、噴墨涂布法、鑄模涂布法、網(wǎng)版印刷法、膠版印刷法或凹版印刷法。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發(fā)光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





