[發明專利]均熱結構與其制法及具有該均熱結構的散熱模塊

無效

• 申請號: 201110426315.9
• 申請日: 2011-12-19
• 公開（公告）號: CN103137846A
• 公開（公告）日: 2013-06-05
• 發明（設計）人: 楊愷祥;簡國祥
• 申請（專利權）人: 財團法人工業技術研究院
• 主分類號: H01L33/64
• 分類號: H01L33/64;H01L33/00
• 代理公司: 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006
• 代理人: 梁揮;常大軍

1.一種均熱結構，其特征在于，包括：

具有第一凹槽的第一蓋體及具有第二凹槽的第二蓋體，且該第一凹槽及該第二凹槽的底面分別形成有多個微結構；

支撐體，其具有多個透孔，以由該第一蓋體及該第二蓋體夾置其中，其中，該第一凹槽與該第二凹槽面對該支撐體，以于該第一蓋體、該支撐體及該第二蓋體之間形成腔室；以及

工作流體，其容置于該腔室內，以借由該多個微結構及該多個透孔而在該腔室中自如流動。

2.根據權利要求1所述的均熱結構，其特征在于，該第一凹槽的側壁、該第二凹槽的側壁、或該第一凹槽及該第二凹槽的側壁形成有多個微結構。

3.根據權利要求1所述的均熱結構，其特征在于，該腔室內為真空狀態。

4.根據權利要求1所述的均熱結構，其特征在于，形成該第一蓋體及該第二蓋體的材料為硅。

5.根據權利要求1所述的均熱結構，其特征在于，形成該支撐體的材料為玻璃。

6.根據權利要求1所述的均熱結構，其特征在于，該工作流體為水。

7.根據權利要求1所述的均熱結構，其特征在于，該第一凹槽及該第二凹槽的多個微結構為凸部。

8.根據權利要求1所述的均熱結構，其特征在于，該第一蓋體、第二蓋體和支撐體使用高溫高壓陽極工藝而結合成一體。

9.一種均熱結構的制法，其特征在于，包含下列步驟：

1)于一第一蓋體的第一凹槽及一第二蓋體的第二凹槽的底面分別形成多個微結構，并在該第一蓋體或該第二蓋體上開設導引孔，且在一支撐體中形成多個透孔；

2)令該第一蓋體及該第二蓋體以該第一凹槽及該第二凹槽面對該支撐體的方式將該支撐體夾置于該第一蓋體與該第二蓋體之間，使該第一蓋體、支撐體及第二蓋體之間形成腔室；以及

3)通過該導引孔導入工作流體于該腔室內，再封閉該導引孔，使該工作流體借由該多個微結構及該多個透孔在該腔室中流動。

10.根據權利要求9所述的均熱結構的制法，其特征在于，步驟1)還包括在該第一凹槽的側壁、該第二凹槽的側壁、或該第一凹槽及該第二凹槽的側壁形成多個微結構。

11.根據權利要求9所述的均熱結構的制法，其特征在于，在該第一凹槽及該第二凹槽的底面上形成該多個微結構是以蝕刻技術為之。

12.根據權利要求9所述的均熱結構的制法，其特征在于，在該支撐體中形成該多個透孔是以激光技術為之。

13.根據權利要求9所述的均熱結構的制法，其特征在于，步驟2)還包括以高溫高壓使該第一蓋體及該第二蓋體夾置該支撐體并予以結合。

14.根據權利要求9所述的均熱結構的制法，其特征在于，于執行步驟3)封閉該導引孔之前，還包括使該腔室呈真空狀態的步驟。

15.根據權利要求9所述的均熱結構的制法，其特征在于，該第一蓋體和該第二蓋體是使用微影工藝硅材料制成。

16.一種散熱模塊，其應用于芯片的散熱，其特征在于，該散熱模塊包括：

散熱結構；

熱接口材料，其涂布于該散熱結構上；

均熱結構，其間隔著該熱接口材料而設置于該散熱結構上，且該均熱結構遠離該熱接口材料的表面具有絕緣層，其中，該均熱結構包括：

具有第一凹槽的第一蓋體及具有第二凹槽的第二蓋體，且該第一凹槽及該第二凹槽的底面分別形成有多個微結構；

支撐體，其具有多個透孔，以由該第一蓋體及該第二蓋體夾置其中，其中，該第一凹槽與該第二凹槽面對該支撐體，且該第一蓋體、支撐體及第二蓋體之間形成有腔室；及

工作流體，其容置于該腔室內，以借由該多個微結構及該多個透孔而在該腔室中自如流動；

金屬層，其形成于該均熱結構的絕緣層上；以及

芯片，其設置于該金屬層上。

17.根據權利要求16所述的散熱模塊，其特征在于，該芯片為發光二極管芯片。

18.根據權利要求16所述的散熱模塊，其特征在于，該絕緣層為二氧化硅層。