[發明專利]在硅基底表面制備含氟碳基薄膜的方法

無效

• 申請號: 201110426211.8
• 申請日: 2011-12-16
• 公開（公告）號: CN103160800A
• 公開（公告）日: 2013-06-19
• 發明（設計）人: 張俊彥;楊濤
• 申請（專利權）人: 中國科學院蘭州化學物理研究所
• 主分類號: C23C16/26
• 分類號: C23C16/26;C23C16/44
• 代理公司: 蘭州中科華西專利代理有限公司 62002
• 代理人: 方曉佳

1.一種在硅基底表面制備含氟碳基薄膜的方法，其特征在于該方法按照下列順序步驟進行：

A沉積基片為拋光硅片，依次用無水乙醇、丙酮和超聲波清洗機清洗；

B采用增強型等離子體氣相沉積設備，薄膜沉積前，在4.5～5Pa下，基底下偏壓800～1000V、頻率20～30KHz、占空比60～80％下，以300sccm氬氣對基片進行等離子體清洗30min；

C為增強含氟非晶碳膜和基片之間的結合力，在15～20Pa下，基底偏壓1000～1200V、頻率20～30KHz、占空比60～80％下，以10.3sccm甲烷、20sccm氫氣沉積不含氟碳膜10～15min；

D在15Pa下，基地偏壓1000～1200V、頻率20～30KHz占空比60～80％下，沉積含氟碳膜，條件1sccm四氟化碳、10.3sccm甲烷、20sccm氫氣。