[發明專利]腔室調節方法

有效

• 申請號: 201110426099.8
• 申請日: 2011-12-16
• 公開（公告）號: CN102994979A
• 公開（公告）日: 2013-03-27
• 發明（設計）人: 陳彥羽;蔡家銘;紀良臻;陳健源;劉格志
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: C23C16/44
• 分類號: C23C16/44
• 代理公司: 北京德恒律師事務所 11306
• 代理人: 陸鑫;房嶺梅

1.一種用于沉積材料的方法，所述方法包括：

在沉積腔室的表面上形成第一層，所述第一層包含第一材料并具有突出物；以及

在形成所述第一材料之后調節所述沉積腔室，所述調節在所述第一材料和所述突出物的上方形成第二層，所述第二層包含第二材料，所述第二材料不同于所述第一材料。

2.根據權利要求1所述的方法，進一步包括：在形成所述第一材料之前預調節所述沉積腔室，預調節所述沉積腔室進一步包括在形成所述第一層之前在所述沉積腔室的表面正上方形成第三層。

3.根據權利要求1所述的方法，其中，所述第二材料包括氧化鋁。

4.根據權利要求1所述的方法，進一步包括：在所述第二層的上方形成第三層，所述第三層包含所述第一材料。

5.根據權利要求1所述的方法，其中，所述第一層包含氧化鉿，以及其中，調節所述沉積腔室形成氧化鋁層。

6.根據權利要求1所述的方法，進一步包括：

在所述第二層上形成第三層，所述第三層包含第三材料；以及

在形成所述第三層之后調節所述沉積腔室，在形成所述第三層之后調節所述沉積腔室的步驟在所述第三材料上方形成第四層，所述第四層包含第四材料，所述第四材料不同于所述第三材料。

7.根據權利要求1所述的方法，其中，所述第二層的厚度為約并且在形成所述第一層的步驟重復了250次之后實施所述調節。

8.一種沉積材料的方法，所述方法包括：

在沉積腔室中在第一襯底上沉積第一材料，沉積所述第一材料的步驟還在所述沉積腔室的表面上形成所述第一材料的第一層；

從所述沉積腔室中去除所述第一襯底；以及

在所述第一層上方沉積第二材料，其中，所述第一材料和所述第二材料具有彼此不同的種類。

9.根據權利要求8所述的方法，進一步包括：

在所述第二材料上方沉積第三材料；以及

在所述第三材料上方沉積第四材料，其中所述第三材料和所述第四材料具有彼此不同的種類。

10.一種沉積材料的方法，所述方法包括：

在第一襯底上和在腔室的表面上沉積第一高k介電材料，至少部分地采用原子層沉積工藝實施沉積所述第一高k介電材料的步驟；

從所述腔室中去除所述第一襯底；以及

通過在所述第一高k介電材料上方沉積第二介電材料密封所述腔室的表面上的所述第一高k介電材料，所述第二介電材料不同于所述第一高k介電材料。