[發明專利]一種低功耗短脈沖產生電路及低功耗脈沖型D觸發器

有效

• 申請號: 201110426084.1
• 申請日: 2011-12-19
• 公開（公告）號: CN102437836A
• 公開（公告）日: 2012-05-02
• 發明（設計）人: 胡建平;余曉穎;鄒凱裕
• 申請（專利權）人: 寧波大學
• 主分類號: H03K3/012
• 分類號: H03K3/012
• 代理公司: 寧波奧圣專利代理事務所(普通合伙) 33226
• 代理人: 程曉明

1.一種低功耗短脈沖產生電路，其特征在于：包括第一PMOS管、第一NMOS管、第一與非門和第一反相器，所述的第一PMOS管的源極與電源正端相連接，所述的第一與非門的第一信號輸入端、所述的第一PMOS管的漏極及所述的第一NMOS管的漏極三者相連接，所述的第一與非門的第二信號輸入端與所述的第一PMOS管的柵極相連接，所述的第一NMOS管的源極接地，所述的第一與非門的信號輸出端、所述的第一反相器的信號輸入端及互補脈沖信號輸出端三者相連接，所述的第一反相器的信號輸出端、所述的第一NMOS管的柵極及所述的脈沖信號輸出端三者相連接，所述的第一PMOS管的柵極與時鐘信號相連接。

2.根據權利要求1所述的一種低功耗短脈沖產生電路，其特征在于：所述的第一與非門由第二PMOS管、第三PMOS管、第二NMOS管及第三NMOS管組成，所述的第二PMOS管的源極、所述的第三PMOS管的源極均與電源正端相連接，所述的第二PMOS管的漏極、所述的第三PMOS管的漏極、所述的第二NMOS管的漏極及所述的互補脈沖信號輸出端四者相連接，所述的第二NMOS管的源極與所述的第三NMOS管的漏極相連接，所述的第三NMOS管的源極接地，所述的第三PMOS管的柵極、所述的第三NMOS管的柵極均為所述的第一與非門的第一信號輸入端，所述的第三PMOS管的柵極、所述的第三NMOS管的柵極、所述的第一PMOS管的漏極及所述的第一NMOS管的漏極四者相連接，所述的第二PMOS管的柵極、所述的第二NMOS管的柵極均為所述的第一與非門的第二信號輸入端，所述的第二PMOS管的柵極、所述的第二NMOS管的柵極及所述的第一PMOS管的柵極均與時鐘信號相連接，所述的第二PMOS管的溝道長度、所述的第三PMOS管的溝道長度、所述的第二NMOS管的溝道長度及所述的第三NMOS管的溝道長度均為標準工藝下最小溝道長度的1.15～1.4倍。

3.一種低功耗脈沖型D觸發器，其特征在于：包括低功耗短脈沖產生電路、輸入反相電路、鐘控CMOS邏輯D鎖存器單元和輸出反相電路，所述的低功耗短脈沖產生電路的互補脈沖信號輸出端與所述的鐘控CMOS邏輯D鎖存器單元的互補脈沖信號輸入端相連接，所述的低功耗短脈沖產生電路的脈沖信號輸出端與所述的鐘控CMOS邏輯D鎖存器單元的脈沖信號輸入端相連接，所述的輸入反相電路的信號輸出端與所述的鐘控CMOS邏輯D鎖存器單元的復位信號輸入端相連接，所述的鐘控CMOS邏輯D鎖存器單元的信號輸出端與所述的輸出反相電路的信號輸入端相連接。

4.根據權利要求3所述的一種低功耗脈沖型D觸發器，其特征在于：所述的低功耗短脈沖產生電路包括第一PMOS管、第一NMOS管、第一與非門和第一反相器，所述的第一PMOS管的源極與電源正端相連接，所述的第一與非門的第一信號輸入端、所述的第一PMOS管的漏極及所述的第一NMOS管的漏極三者相連接，所述的第一與非門的第二信號輸入端與所述的第一PMOS管的柵極相連接，所述的第一NMOS管的源極接地，所述的第一與非門的信號輸出端、所述的第一反相器的信號輸入端及所述的低功耗短脈沖產生電路的互補脈沖信號輸出端三者相連接，所述的第一反相器的信號輸出端、所述的第一NMOS管的柵極及所述的低功耗短脈沖產生電路的脈沖信號輸出端三者相連接，所述的第一PMOS管的柵極與時鐘信號相連接。