[發明專利]半導體器件制造方法在審
| 申請號： | 201110425474.7 | 申請日： | 2011-12-16 |
| 公開（公告）號： | CN103165430A | 公開（公告）日： | 2013-06-19 |
| 發明（設計）人： | 羅軍;趙超;鐘匯才;李俊峰;陳大鵬 | 申請（專利權）人： | 中國科學院微電子研究所 |
| 主分類號： | H01L21/28 | 分類號： | H01L21/28;H01L21/8238 |
| 代理公司： | 北京藍智輝煌知識產權代理事務所(普通合伙) 11345 | 代理人： | 陳紅 |
| 地址： | 100029 *** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體器件 制造 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種半導體器件的制造方法，包括：
在襯底上沉積形成任意厚度的金屬層；
直接移除襯底上的金屬層，在襯底表面留下自限制厚度的混合層；以及
執行退火，使得混合層轉變為金屬硅化物層。
2.如權利要求1的半導體器件的制造方法，其中，襯底包括體硅、SOI。
3.如權利要求1的半導體器件的制造方法，其中，金屬層為包含鎳元素的金屬和/或合金。
4.如權利要求3的半導體器件的制造方法，其中，金屬層包括Ni、NiPt、NiCo、NiPtCo。
5.如權利要求3的半導體器件的制造方法，其中，金屬層中鎳的摩爾含量大于等于50％。
6.如權利要求1的半導體器件的制造方法，其中，金屬層的厚度為1至100nm。
7.如權利要求1的半導體器件的制造方法，其中，金屬硅化物層包括NiSi2-y、NiPtSi2-y、NiCoSi2-y、NiPtCoSi2-y，其中0≤y＜1。
8.如權利要求1的半導體器件的制造方法，其中，金屬硅化物層厚度為1至10nm。
9.如權利要求1的半導體器件的制造方法，其中，退火在500至850℃溫度下進行。
10.如權利要求1的半導體器件的制造方法，其中，沉積形成金屬層時，對襯底加熱至小于等于300℃或對襯底施加小于等于500V的偏壓。
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- 專利分類
H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
