[發明專利]Cu(In,Al)Se2薄膜的制備工藝

無效

• 申請號: 201110425469.6
• 申請日: 2011-12-16
• 公開（公告）號: CN102515561A
• 公開（公告）日: 2012-06-27
• 發明（設計）人: 周麗梅;武素梅;薛鈺芝
• 申請（專利權）人: 大連交通大學
• 主分類號: C03C17/22
• 分類號: C03C17/22
• 代理公司: 大連東方專利代理有限責任公司 21212
• 代理人: 陳紅燕

1.一種Cu(In，Al)Se₂薄膜的制備工藝，包括如下步驟：

(1)靶材的準備：分別準備純Cu靶和InAl復合靶，所述InAl復合靶是通過在Al靶上鑲嵌不同面積的In塊得到的，In/Al＝5～20％；

(2)室溫Cu-In-Al交替濺射沉積：在室溫下，采用直流磁控濺射方法將Cu、In、Al交替濺射沉積玻璃襯底上，形成CuInAl預制層；在此過程中，通過控制濺射氣壓、濺射距離、濺射功率、不同的濺射順序控制CIA預制層中各元素的比例；其中，襯底與靶材之間的距離為50-100mm；交替濺射的順序為先Cu靶后InAl靶，如此重復濺射多次，總濺射時間不小于45min；本底真空度為1.5x10^-2～2.5x10^-2Pa；Cu靶濺射功率160～300W；InAl靶濺射功率170～400W；氮氣或氬氣的氣壓為2x10^-1-5x10^-1Pa；

(3)退火處理：所述CuInAl預制層置于硒化爐中在400～600℃進行真空退火；

(4)硒化處理：對退火后的預制層進行硒化處理，在Se氣氛中硒化形成黃銅礦結構的Cu(In，Al)Se₂多晶薄膜。

2.如權利要求1所述的Cu(In，Al)Se₂薄膜的制備工藝，其特征在于：

步驟(2)中，Cu靶濺射功率180～260W；InAl靶濺射功率230～350W。