[發明專利]具有低熱阻的發光二極管燈無效
| 申請號: | 201110425436.1 | 申請日: | 2011-11-09 |
| 公開(公告)號: | CN102544313A | 公開(公告)日: | 2012-07-04 |
| 發明(設計)人: | 顏睿康 | 申請(專利權)人: | 旭明光電股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L33/48 | 分類號: | H01L33/48;H01L33/64;H01L33/62;H05K1/02 |
| 代理公司: | 北京三友知識產權代理有限公司 11127 | 代理人: | 任默聞 |
| 地址: | 中國臺*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 具有 低熱 發光二極管 | ||
1.一種發光二極管結構,包括:
一個沉積在封入外殼中的金屬基底上的發光二極管半導體活化層;
一個電連接至活化層上的接合焊盤的第二金屬板;以及
一個通過金屬連接層可導電并且可導熱地連接至所述金屬基底的第一金屬板,其中所述第一和第二金屬板通過所述的外殼的底部露出并且提供到所述發光二極管結構的外部電連接。
2.權利要求1的發光二極管結構,其中所述屬基底包括銅、銅合金或復合金屬合金中的至少一種。
3.權利要求1的發光二極管結構,其中所述金屬連接層包括Au-Sn、Ag-Sn或Sn合金中的至少一種。
4.權利要求1的發光二極管結構,其中所述第一金屬板大于所述第二金屬板。
5.權利要求1的發光二極管結構,其中所述第一金屬板和所述第二金屬板橫向延伸超過所述外殼。
6.權利要求1的發光二極管結構,其中所述的外殼是圓柱形的。
7.一種發光二極管結構,包括:
一個沉積在封入外殼中的金屬基底上的發光二極管半導體活化層;
一個電連接至活化層上的接合焊盤的第二金屬板;以及
一個通過第一金屬連接層可導電并且可導熱地連接至所述的金屬基底的第一金屬板,其中第一和第二金屬板位于所述的外殼的內部底面,并且橫向延伸穿過所述的外殼從而為所述的發光二極管結構提供外部電連接。
8.權利要求7的發光二極管結構,進一步包括:
一個位于所述的外殼的底面下方的上導熱層;
一個位于所述上導熱層和下導熱層之間的第二金屬連接層;以及
一個夾在下導熱層和散熱器之間的用于熱傳導的介質層,其中所述的散熱器在所述的發光二極管結構的底部露出。
9.權利要求7的發光二極管結構,其中所述的外殼包括氮化鋁(AlN)或氧化鋁(Al2O3)中的至少一種。
10.權利要求8的發光二極管結構,其中所述的第一和第二金屬連接層包括Au-Sn、Ag-Sn或Sn合金中的至少一種。
11.權利要求8的發光二極管結構,其中所述的上和下導熱層包括銀(Ag)漿料或金(Au)漿料中的至少一種。
12.權利要求8的發光二極管結構,其中所述的介質層由陽極化鋁組成。
13.一種發光二極管結構,包括:
一個沉積在封入外殼中的金屬基底上的發光二極管半導體活化層,其中所述的活化層的p摻雜側緊密連接至所述的金屬基底;
一個電連接至活化層上的接合焊盤的第二金屬板;以及
一個通過金屬連接層可導電并且可導熱地連接至所述的金屬基底的第一金屬板,其中第一和第二金屬板通過所述的外殼的底部露出并且提供到所述的發光二極管結構的外部電連接。
14.權利要求13的發光二極管結構,其中所述的金屬基底包括銅、銅合金或復合金屬合金中的至少一種。
15.權利要求13的發光二極管結構,其中所述的金屬連接層包括Au-Sn、Ag-Sn或Sn合金中的至少一種。
16.權利要求13的發光二極管結構,其中所述的第一金屬板大于所述的第二金屬板。
17.權利要求13的發光二極管結構,其中所述的第一金屬板和所述的第二金屬板橫向延伸超過所述外殼。
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