[發明專利]用于形成硅基絕緣層的組合物及其制造方法、硅基絕緣層及其制造方法

有效

• 申請號: 201110425397.5
• 申請日: 2011-12-16
• 公開（公告）號: CN102585516A
• 公開（公告）日: 2012-07-18
• 發明（設計）人: 林相學;金奉煥;吳正堈;郭澤秀;裵鎮希;尹熙燦;韓東一;金相均;李真旭
• 申請（專利權）人: 第一毛織株式會社
• 主分類號: C08L83/14
• 分類號: C08L83/14;C08G77/54;H01L21/31;H01L27/108
• 代理公司: 北京康信知識產權代理有限責任公司 11240
• 代理人: 李丙林;張英

1.一種用于形成硅基絕緣層的組合物，包括：

氫化聚硅氧硅氮烷，其包括以下化學式1表示的部分和以下化學式2表示的部分，并且具有1ppm或更低的氯濃度：

<化學式1>

<化學式2>

在化學式1和2中，

R1至R7各自獨立地為氫、取代或未取代的C1至C30烷基、取代或未取代的C3至C30環烷基、取代或未取代的C6至C30芳基、取代或未取代的C7至C30芳烷基、取代或未取代的C1至C30雜烷基、取代或未取代的C2至C30雜環烷基、取代或未取代的C2至C30烯基、取代或未取代的烷氧基、取代或未取代的羰基、羥基或它們的組合，條件是R1至R7中的至少一個為氫。

2.根據權利要求1所述的用于形成硅基絕緣層的組合物，其中，所述氫化聚硅氧硅氮烷在其末端包括以下化學式3表示的部分，并且具有0.2～3wt％的氧含量，并且基于Si-H鍵的總量以下化學式3表示的部分的量為15～35wt％：

<化學式3>

*-SiH₃。

3.根據權利要求1所述的用于形成硅基絕緣層的組合物，其中，所述氫化聚硅氧硅氮烷的重均分子量為約1000～5000。

4.根據權利要求1所述的用于形成硅基絕緣層的組合物，其中，所述氫化聚硅氧硅氮烷的含量為0.1～50wt％。

5.一種用于形成硅基絕緣層且包括氫化聚硅氧硅氮烷的組合物的制造方法，包括：

混合鹵代硅烷化合物和溶劑以進行共氨解，從而合成氫化聚硅氧硅氮烷并制備氫化聚硅氧硅氮烷溶液；

將所述氫化聚硅氧硅氮烷溶液的溶劑換為非極性溶劑；

使溶劑換為所述非極性溶劑的所述氫化聚硅氧硅氮烷溶液在-20～5℃陳化；以及

對經陳化的氫化聚硅氧硅氮烷溶液進行過濾，以除去氯化銨。

6.根據權利要求5所述的方法，其中，在通過過濾而除去氯化銨后，所述氫化聚硅氧硅氮烷溶液具有1ppm或更低的氯濃度。

7.根據權利要求5所述的方法，其中，所述非極性溶劑為二甲苯。

8.根據權利要求5所述的方法，其中，所述陳化進行1～48小時。

9.根據權利要求5所述的方法，其中，在通過過濾除去氯化銨期間，使用孔徑為約0.01～20μm的過濾器。

10.一種硅基絕緣層，其應用根據權利要求1所述的用于形成硅基絕緣層且包括所述氫化聚硅氧硅氮烷的組合物制成，并且具有缺陷數量為1000或更少/8英寸晶片，其中，所述缺陷尺寸為5μm或更小。

11.一種制造具有低缺陷的硅基絕緣層的方法，包括

將根據權利要求1所述的用于形成硅基絕緣層的組合物施加于基板上；

干燥其上施加有用于形成硅基絕緣層的所述組合物的所述基板；以及

在包括200℃以上的蒸氣氣氛中對其進行固化。