[發明專利]發光二極管及其制造方法

無效

• 申請號: 201110425345.8
• 申請日: 2011-12-16
• 公開（公告）號: CN102437263A
• 公開（公告）日: 2012-05-02
• 發明（設計）人: 肖德元;于婷婷;董云飛;戚夢瑤;于洪波;楊世名;許繼仁;程蒙召;張汝京
• 申請（專利權）人: 映瑞光電科技（上海）有限公司
• 主分類號: H01L33/14
• 分類號: H01L33/14;H01L33/00
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 鄭瑋

1.一種發光二極管，包括：

襯底；

依次位于所述襯底上的n型氮化鎵層、有源層、p型氮化鎵層；

深度延伸至所述n型氮化鎵層的第一開口；

形成于所述第一開口內的第一電極；

形成于所述p型氮化鎵層上的電流擴散層，所述電流擴散層具有暴露出所述p型氮化鎵層的第二開口；以及

依次位于所述第二開口內的電流阻擋層和第二電極。

2.如權利要求1所述的發光二極管，其特征在于，所述電流阻擋層覆蓋所述第二開口的底部和側壁的全部區域。

3.如權利要求2所述的發光二極管，其特征在于，所述電流阻擋層延伸到所述電流擴散層的部分區域。

4.如權利要求1所述的發光二極管，其特征在于，所述電流阻擋層僅覆蓋所述第二開口的底部的部分區域。

5.如權利要求1所述的發光二極管，其特征在于，所述電流阻擋層為二氧化硅或氮化硅，所述電流擴散層為氧化銦錫。

6.如權利要求1所述的發光二極管，其特征在于，所述第一電極和第二電極為鎳金合金、鈦鋁合金或鈦金合金。

7.如權利要求1所述的發光二極管，其特征在于，所述發光二極管還包括位于所述襯底與n型氮化鎵層之間的氮化鎵緩沖層。

8.如權利要求1所述的發光二極管，其特征在于，所述發光二極管還包括位于所述有源層與p型氮化鎵層之間的p型鋁氮化鎵層。

9.一種發光二極管制造方法，其特征在于，包括：

在襯底上形成依次n型氮化鎵層、有源層、p型氮化鎵層和電流擴散層；

依次刻蝕所述電流擴散層、p型氮化鎵層和有源層，形成深度延伸至所述n型氮化鎵層的第一開口；

刻蝕所述電流擴散層形成第二開口，所述第二開口暴露出p型氮化鎵層；

在所述第二開口內形成電流阻擋層；以及

在所述第一開口內形成第一電極，并在所述第二開口內形成第二電極。

10.如權利要求9所述的發光二極管制造方法，其特征在于，所述電流阻擋層覆蓋所述第二開口的底部和側壁的全部區域。

11.如權利要求10所述的發光二極管制造方法，其特征在于，所述電流阻擋層延伸到所述電流擴散層的部分區域。

12.如權利要求9所述的發光二極管制造方法，其特征在于，所述電流阻擋層僅覆蓋所述第二開口的底部的部分區域。

13.如權利要求9所述的發光二極管制造方法，其特征在于，所述電流阻擋層為二氧化硅或氮化硅，所述電流擴散層為氧化銦錫。

14.如權利要求13所述的發光二極管制造方法，其特征在于，所述第一電極和第二電極的材料為鎳金合金、鈦鋁合金或鈦金合金。

15.如權利要求9所述的發光二極管制造方法，其特征在于，形成所述n型氮化鎵層之前，還包括：在所述襯底上形成氮化鎵緩沖層。

16.如權利要求9所述的發光二極管制造方法，其特征在于，形成所述p型氮化鎵層之前，還包括：在所述有源層上形成p型鋁氮化鎵層。