[發明專利]一類具有彎曲分子結構化合物的應用有效
| 申請號: | 201110425228.1 | 申請日: | 2011-12-19 |
| 公開(公告)號: | CN102544370A | 公開(公告)日: | 2012-07-04 |
| 發明(設計)人: | 王彤;錢先銳 | 申請(專利權)人: | 長春圣卓龍電子材料有限公司 |
| 主分類號: | H01L51/30 | 分類號: | H01L51/30 |
| 代理公司: | 長春科宇專利代理有限責任公司 22001 | 代理人: | 馬守忠 |
| 地址: | 130021 吉林省長春*** | 國省代碼: | 吉林;22 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一類 具有 彎曲 分子結構 化合物 應用 | ||
1.一類具有彎曲結構分子的化合物的應用,其特征在于,所述的化合物用于弱外延生長薄膜中的誘導層材料;所述化合物的名稱及分子結構式如下;
(1)1-(4-1,1′:4′,1″:4″,1″′-四聯苯基)-3-苯基苯,分子結構式為
(2)1-(4-1,1′:4′,1″-三聯苯基)-3-(4-1,1′-二聯苯基)苯;分子結構式為
(3)1,3-二(4-1,1′:4′,1″-三聯苯基)苯;分子結構式為
(4)2-(4-1,1′:4′,1″:4″,1″′-四聯苯基)-6-苯基吡啶;分子結構式為
(5)2-(4-1,1′:4′,1″-三聯苯基)-6-(4-1,1′-二聯苯基)吡啶;分子結構式為
(6)2,6-二(4-1,1′:4′,1″-三聯苯基)吡啶;分子結構式為
(7)2-(4-1,1′:4′,1″:4″,1″′-四聯苯基)-5-苯基噻吩;分子結構式為
(8)2-(4-1,1′:4′,1″-三聯苯基)-5-(4-1,1′-二聯苯基)噻吩;分子結構式為
(9)1-[4-(4″′-氟代-1,1′:4′,1″:4″,1″′-四聯苯基)]-3-[4-(1-氟苯基)]苯;分子結構式為
(10)1-[4-(4″-氟代-1,1′:4′,1″-三聯苯基)]-3-[4-(4′-氟代-1,1′-二聯苯基)]苯;分子結構式為
(11)1,3-二(4-4″-氟代-1,1′:4′,1″-三聯苯基)苯;分子結構式為
(12)2-[4-(4″′-氟代-1,1′:4′,1″:4″,1″′-四聯苯基)]-6-[4-(1-氟苯基)]吡啶;分子結構式為
(13)2-[4-(4″-氟代-1,1′:4′,1″-三聯苯基)]-6-[4-(4′-氟代-1,1′-二聯苯基)]吡啶;分子結構式為
(14)2,6-二(4-4″-氟代-1,1′:4′,1″-三聯苯基)吡啶;分子結構式為
(15)1-[4-(3″′,5″′-二氟代-1,1′:4′,1″:4″,1″′-四聯苯基)]-3-[4-(2,6-二氟代苯基)]苯;分子結構式為
(16)1-[4-(3″′,5″′-二氟代-1,1′:4′,1″-三聯苯基)]-3-[4-(3′,5′-二氟代-1,1′-二聯苯基)]苯;分子結構式為
(17)1,3-bis[4-(3″′,5″′-二氟代-1,1′:4′,1″-三聯苯基)]苯;分子結構式為
(18)2-[4-(3″′,5″′-二氟代-1,1′:4′,1″:4″,1″′-四聯苯基)]-6-[4-(2,6-二氟代苯基)]吡啶;分子結構式為
(19)2-[4-(3″′,5″′-二氟代-1,1′:4′,1″-三聯苯基)]-6-[4-(3′,5′-二氟代-1,1′-二聯苯基)]吡啶;分子結構式為
(20)2-[4-(3″′,5″′-二氟代-1,1′:4′,1″-三聯苯基)]-6-[4-(3′,5′-二氟代-1,1′-二聯苯基)]吡啶;分子結構式為
(21)2-[4-(4″-氟代-1,1′:4′,1″-三聯苯基)]-5-[4-(4′-氟代-1,1′-二聯苯基)]噻吩;分子結構式為
(22)2-[4-(4″′-氟代-1,1′:4′,1″:4″,1″′-四聯苯基)]-5-[4-(1-氟苯基)]噻吩;分子結構式為
(23)2-[4-(3″′,5″′-二氟代-1,1′:4′,1″-三聯苯基)]-5-[4-(3′,5′-二氟代-1,1′-二聯苯基)]噻吩;分子結構式為
(24)2-[4-(3″′,5″′-二氟代-1,1′:4′,1″:4″,1″′-四聯苯基)]-5-[4-(2,6-二氟代苯基)]噻吩;分子結構式為
2.如權利要求1所述的一類具有彎曲結構分子的化合物的應用,其特征在于,用所述的一類具有彎曲分子結構的化合物作為誘導層材料,用弱外延生長制備有機半導體薄膜和器件。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機材料作有源部分或使用有機材料與其他材料的組合作有源部分的固態器件;專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的;具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射;專門適用于將這些輻射能轉換為電能,或者適用于通過這樣的輻射進行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發射的,如有機發光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇





