[發明專利]一種具有高光提取窗口的垂直結構型發光二極管無效
| 申請號： | 201110425171.5 | 申請日： | 2011-12-16 |
| 公開（公告）號： | CN102447027A | 公開（公告）日： | 2012-05-09 |
| 發明（設計）人： | 朱彥旭;劉建朋;李翠輕;曹偉偉;丁艷 | 申請（專利權）人： | 北京工業大學 |
| 主分類號： | H01L33/02 | 分類號： | H01L33/02;H01L33/06 |
| 代理公司： | 北京思海天達知識產權代理有限公司 11203 | 代理人： | 吳蔭芳 |
| 地址： | 100124 *** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 具有 提取 窗口 垂直 結構 發光二極管 | ||
【權利要求書】：
1.一種具有高光提取窗口的垂直結構型發光二極管包括電極，高光提取的窗口層結構，接觸層，限制層，多量子阱有源區；電極，高光提取的窗口層結構，限制層，多量子阱有源區，限制層，接觸層，電極自上而下依次垂直連接；多量子阱有源區兩側的電極極性不同；多量子阱有源區一側的電極，高光提取的窗口層結構以及限制層的極性相同，多量子阱有源區另一側的限制層，接觸層以及電極的極性相同。
2.根據權利要求1所述的一種高光提取窗口層的垂直結構型發光二極管，其特征在于：所述的高光提取的窗口層結構由半導體窗口層與接觸層垂直連接構成；所述發光二級管中的電極與所述的高光提取的窗口結構中的半導體窗口層垂直連接，所述的高光提取的窗口結構中的接觸層與所述發光二級管中的限制層垂直連接。
3.根據權利要求2所述的一種具有高光提取窗口層的垂直結構型發光二極管，其特征在于：所述半導體窗口層所用的材料是透明導電的材料。
4.如權利要求2所述的一種具有高光提取窗口層的垂直結構型發光二極管，其特征應在于：所述半導體窗口層的厚度大于或等于?
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