[發(fā)明專利]矩陣襯底、檢測設(shè)備、檢測系統(tǒng)和驅(qū)動檢測設(shè)備的方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201110424534.3
• 申請日: 2011-12-16
• 公開（公告）號: CN102569318A
• 公開（公告）日: 2012-07-11
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 望月千織;渡邊實;橫山啟吾;大藤將人;川鍋潤;藤吉健太郎;和山弘
• 申請（專利權(quán)）人: 佳能株式會社
• 主分類號: H01L27/146
• 分類號: H01L27/146;H04N5/335;A61B6/00
• 代理公司: 中國國際貿(mào)易促進(jìn)委員會專利商標(biāo)事務(wù)所 11038
• 代理人: 卜榮麗

1.一種矩陣襯底，包括：

多個像素，所述多個像素按矩陣布置；

多個驅(qū)動線，所述多個驅(qū)動線在列方向上布置，所述多個驅(qū)動線中的每個驅(qū)動線在行方向上與多個像素共同連接；

多個連接端子，所述多個連接端子被配置為將驅(qū)動所述像素的驅(qū)動電路和所述驅(qū)動線彼此連接，所述多個連接端子的數(shù)量比所述驅(qū)動線的數(shù)量少；和

解復(fù)用器，所述解復(fù)用器被配置為包括多個第一多晶半導(dǎo)體薄膜晶體管，并包括第一控制線，所述多個第一多晶半導(dǎo)體薄膜晶體管布置在所述連接端子與所述驅(qū)動線之間，以一對一的方式與所述驅(qū)動線對應(yīng)，并將使所述像素處于選擇狀態(tài)的第一電壓供給所述驅(qū)動線，所述第一控制線將所述第一多晶半導(dǎo)體薄膜晶體管的導(dǎo)通電壓和非導(dǎo)通電壓供給所述第一多晶半導(dǎo)體薄膜晶體管的控制電極，

其中，所述解復(fù)用器包括多個第二多晶半導(dǎo)體薄膜晶體管，并包括第二控制線，所述多個第二多晶半導(dǎo)體薄膜晶體管布置在所述連接端子與所述驅(qū)動線之間，以一對一的方式與所述驅(qū)動線對應(yīng)，并使所述驅(qū)動線保持具有使所述像素處于非選擇狀態(tài)的第二電壓，所述第二控制線將所述第二多晶半導(dǎo)體薄膜晶體管的導(dǎo)通電壓和非導(dǎo)通電壓供給所述第二多晶半導(dǎo)體薄膜晶體管的控制電極。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的矩陣襯底，還包括：

第一連接端子，所述第一連接端子與所述第一控制線電連接；和

第二連接端子，所述第二連接端子與所述第二控制線電連接，

其中，當(dāng)布置多個連接端子時，所述解復(fù)用器包括布置在所述多個連接端子之一與所述驅(qū)動線中的兩個或更多個之間的單元塊，所述單元塊包括所述第一多晶半導(dǎo)體薄膜晶體管中的兩個或更多個并包括所述第二多晶半導(dǎo)體薄膜晶體管中的兩個或更多個。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的矩陣襯底，

其中，所述單元塊包括所述第一多晶半導(dǎo)體薄膜晶體管中的兩個和所述第二多晶半導(dǎo)體薄膜晶體管中的兩個，并執(zhí)行一對二的解復(fù)用操作，并且

與所述第一多晶半導(dǎo)體薄膜晶體管中的一個第一多晶半導(dǎo)體薄膜晶體管的控制電極連接的第一連接端子與所述第二多晶半導(dǎo)體薄膜晶體管中的一個第二多晶半導(dǎo)體薄膜晶體管的控制電極電連接，所述一個第一多晶半導(dǎo)體薄膜晶體管與所述驅(qū)動線中的與所述單元塊連接的并對應(yīng)于第一行的一個驅(qū)動線連接，所述一個第二多晶半導(dǎo)體薄膜晶體管與所述驅(qū)動線中的與所述單元塊連接的并對應(yīng)于第二行的一個驅(qū)動線連接。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的矩陣襯底，

其中，所述單元塊包括所述第一多晶半導(dǎo)體薄膜晶體管中的兩個和所述第二多晶半導(dǎo)體薄膜晶體管中的兩個，并執(zhí)行一對二的解復(fù)用操作，并且

與所述第一多晶半導(dǎo)體薄膜晶體管中的一個第一多晶半導(dǎo)體薄膜晶體管的控制電極連接的第一連接端子通過反相器與所述第二多晶半導(dǎo)體薄膜晶體管中的一個第二多晶半導(dǎo)體薄膜晶體管的控制電極電連接，所述一個第一多晶半導(dǎo)體薄膜晶體管與所述驅(qū)動線中的與所述單元塊連接的并對應(yīng)于第一行的一個驅(qū)動線連接，所述一個第二多晶半導(dǎo)體薄膜晶體管與所述驅(qū)動線中的與所述單元塊連接的并對應(yīng)于所述第一行的一個驅(qū)動線連接。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的矩陣襯底，

其中，所述解復(fù)用器還包括在所述連接端子與所述驅(qū)動線之間的與所述第一多晶半導(dǎo)體薄膜晶體管并列布置的多個第三多晶半導(dǎo)體薄膜晶體管，并且

所述第三多晶半導(dǎo)體薄膜晶體管的控制電極在相加模式下共同地與被供給所述第三多晶半導(dǎo)體薄膜晶體管的導(dǎo)通電壓的連接端子電連接。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的矩陣襯底，

其中，所述解復(fù)用器還包括屏蔽部分，所述屏蔽部分從上方覆蓋所述第一多晶半導(dǎo)體薄膜晶體管和所述第二多晶半導(dǎo)體薄膜晶體管，并與被供給固定電勢的連接端子電連接。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的矩陣襯底，

其中，所述像素包括開關(guān)元件，所述開關(guān)元件輸出與由將放射線或光束轉(zhuǎn)換為電荷的轉(zhuǎn)換元件產(chǎn)生的電荷對應(yīng)的電信號，并且

所述第一電壓是所述開關(guān)元件的導(dǎo)通電壓，所述第二電壓是所述開關(guān)元件的非導(dǎo)通電壓。