[發明專利]無結納米線場效應晶體管

無效

• 申請號: 201110424189.3
• 申請日: 2011-12-16
• 公開（公告）號: CN102544073A
• 公開（公告）日: 2012-07-04
• 發明（設計）人: 樓海君;林信南;何進
• 申請（專利權）人: 北京大學深圳研究生院;深港產學研基地
• 主分類號: H01L29/423
• 分類號: H01L29/423;H01L29/78
• 代理公司: 深圳鼎合誠知識產權代理有限公司 44281
• 代理人: 郭燕

1.一種無結納米線場效應晶體管，包括溝道、源區和漏區，所述源區設置在溝道的一端，所述漏區設置在溝道的另一端，其特征在于，所述溝道的外表面覆蓋有柵氧化層，所述柵氧化層的表面覆蓋有柵電極層，所述柵電極層包括接近源區的第一柵電極層和接近漏區的第二柵電極層。

2.根據權利要求1所述的無結納米線場效應晶體管，其特征在于，所述第一柵電極層的功函數大于第二柵電極層的功函數。

3.根據權利要求1所述的無結納米線場效應晶體管，其特征在于，所述溝道、源區和漏區三者的摻雜材料、摻雜濃度和摻雜類型相同。

4.根據權利要求3所述的無結納米線場效應晶體管，其特征在于，所述溝道、源區和漏區三者的摻雜類型均為N型或者均為P型。

5.根據權利要求4所述的無結納米線場效應晶體管，其特征在于，摻雜類型為N型時，摻雜材料為磷或砷。

6.根據權利要求4所述的無結納米線場效應晶體管，其特征在于，摻雜類型為P型時，摻雜材料為硼。

7.根據權利要求1所述的無結納米線場效應晶體管，其特征在于，所述源區和溝道接觸處的截面兩者之間相同，所述漏區和溝道連接處的截面兩者之間相同。

8.根據權利要求1所述的無結納米線場效應晶體管，其特征在于，所述柵氧化層為厚度為1-2納米的氧化硅。

9.根據權利要求1-8任一項所述的無結納米線場效應晶體管，其特征在于，所述溝道的形狀為圓柱，所述源區、漏區的形狀為圓柱或者圓臺。

10.根據權利要求1-8任一項所述的無結納米線場效應晶體管，其特征在于，所述溝道、源區以及漏區的形狀為棱柱。