[發(fā)明專利]等離子體沉浸離子注入工藝

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201110424053.2
• 申請日: 2007-12-07
• 公開（公告）號: CN102522324A
• 公開（公告）日: 2012-06-27
• 發(fā)明（設計）人: 李實健;卡提克·雷馬斯瓦米;比亞吉歐·加洛;李東亨;馬耶德·A·福阿德
• 申請（專利權）人: 應用材料公司
• 主分類號: H01L21/223
• 分類號: H01L21/223
• 代理公司: 北京律誠同業(yè)知識產(chǎn)權代理有限公司 11006
• 代理人: 徐金國;鐘強

1.一種對基板進行共形摻雜的方法，所述基板具有溝道，所述溝道具有側壁和底部部分，所述方法包括：

將所述基板放置在等離子體腔室內(nèi)；

向所述腔室提供摻雜劑源和蝕刻劑；

在所述腔室中形成電感耦合等離子體；

給所述基板施加偏壓；以及

在摻雜劑注入所述側壁和所述底部部分時，通過調(diào)整摻雜劑源和蝕刻劑進入所述腔室的流速的比率，來對摻雜劑注入所述側壁和所述底部進行控制。

2.如權利要求1所述的方法，其中在摻雜劑被注入所述側壁時，利用所述蝕刻劑將過量的摻雜劑從所述底部部分去除。

3.如權利要求1所述的方法，其中所述摻雜劑源包括B₂H₆、P₂H₅、PH₃、GaN、AsF₃或PF₃中的至少一個。

4.如權利要求1所述的方法，其中所述蝕刻劑包括BF₃或BCl₃中的至少一個。

5.如權利要求1所述的方法，其中所述摻雜劑源是B₂H₆，所述蝕刻劑是BF₃。

6.如權利要求1所述的方法，其中所述比率被順次地調(diào)整。

7.如權利要求1所述的方法，其中所述比率從約5∶0逐漸變化到約0∶5。

8.如權利要求1所述的方法，其中所述摻雜劑源包括B₂H₆、P₂H₅、PH₃、GaN、AsF₃或PF₃中的至少一個，所述蝕刻劑包括BF₃或BCl₃中的至少一個，并且摻雜劑源和蝕刻劑的比率從約5∶0逐漸變化到約0∶5。

9.一種將摻雜劑注入基板的方法，所述基板具有溝道，所述溝道具有側壁和底部部分，所述方法包括：

將基板放置在等離子體沉浸離子注入腔室中；

向所述腔室提供摻雜劑源；

由所述摻雜劑源形成等離子體；

將摻雜劑注入所述側壁和底部部分；

向所述腔室提供蝕刻劑；以及

在將摻雜劑注入所述底部部分和所述側壁時，使蝕刻劑與沉積在所述底部部分上的摻雜劑的反應保持平衡。

10.如權利要求9所述的方法，其中所述摻雜劑源包括B₂H₆、P₂H₅、PH₃、GaN、AsF₃或PF₃中的至少一個。

11.如權利要求9所述的方法，其中所述蝕刻劑包括BF₃或BCl₃中的至少一個。

12.如權利要求9所述的方法，其中所述摻雜劑源是B₂H₆，所述蝕刻劑是BF₃。

13.如權利要求9所述的方法，其中蝕刻劑流速和摻雜劑源流速構成蝕刻劑和摻雜劑的比率，并且當摻雜劑被注入時，所述比率逐漸提高。

14.如權利要求13所述的方法，其中所述比率順次提高。

15.如權利要求13所述的方法，其中提高蝕刻劑和摻雜劑的比率包括逐漸降低摻雜劑源的流速。