[發明專利]覆晶發光二極管的封裝制造方法無效
| 申請號: | 201110424020.8 | 申請日: | 2011-12-09 |
| 公開(公告)號: | CN103165766A | 公開(公告)日: | 2013-06-19 |
| 發明(設計)人: | 李志峯 | 申請(專利權)人: | 銀河制版印刷有限公司 |
| 主分類號: | H01L33/00 | 分類號: | H01L33/00;H01L33/48 |
| 代理公司: | 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006 | 代理人: | 梁揮;常大軍 |
| 地址: | 中國臺灣桃園縣龜山*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 發光二極管 封裝 制造 方法 | ||
1.一種覆晶發光二極管的封裝制造方法,其特征在于,包括以下步驟:
(a)提供具有非導電性鉆石鍍膜的一封裝基板;
(b)將一錫合金形成于該封裝基板上的一固晶位置;
(c)將一發光二極管芯片放置于該封裝基板形成有該錫合金的該固晶位置上;
(d)使用激光加熱熔化該錫合金,形成一錫球層以與該發光二極管芯片共晶固焊,該發光二極管芯片是以底面分別形成的一第一電極與一第二電極與該錫球層接觸;
(e)將包含熒光粉的感光膠體涂布于該發光二極管芯片的出光面上,形成一涂層;
(f)進行曝光顯影以得到圖案化的該涂層;及
(g)固化定型感光膠體以得到確定圖案的一熒光層。
2.根據權利要求1所述的覆晶發光二極管的封裝制造方法,其特征在于,該步驟(a)中,封裝基板包含一載體及形成在該載體上的一非導電性鉆石鍍膜,該載體為銅基板、鋁基板或銅鋁合金基板。
3.根據權利要求2所述的覆晶發光二極管的封裝制造方法,其特征在于,該載體為硅基板或陶瓷基板。
4.根據權利要求1所述的覆晶發光二極管的封裝制造方法,其特征在于,該步驟(a)中,還形成一導電性鍍膜于該非導電性鉆石鍍膜的表面,并形成一表層非導電性鉆石鍍膜于該導電性鍍膜的表面,且形成多個焊墊穿過該表層非導電性鉆石鍍膜而連接至該導電性鍍膜。
5.根據權利要求1所述的覆晶發光二極管的封裝制造方法,其特征在于,該步驟(b)中,錫合金形成于該固晶位置是為點膠法、簾幕垂流法、水平涂布法或浸浴涂布法。
6.根據權利要求1所述的覆晶發光二極管的封裝制造方法,其特征在于,該步驟(d)中,激光加熱所用的激光光束的功率為65瓦以上;激光加熱所用的激光光束為定位在該固晶位置上,以便加熱該錫合金或定位在該封裝基板上靠近該固晶位置處,以便加熱該錫合金。
7.根據權利要求1所述的覆晶發光二極管的封裝制造方法,其特征在于,該步驟(d)中,激光加熱所用的激光光束為定位在該封裝基板上距離該固晶位置邊緣100至200微米處。
8.根據權利要求1所述的覆晶發光二極管的封裝制造方法,其特征在于,該步驟(e)中,該感光膠體包含一膠體與一感光劑,其中該膠體為聚乙烯醇、聚乙烯醇肉桂酸酯、聚乙烯氧乙基肉桂酸酯或聚乙烯吡咯烷酮;該感光劑為選自重鉻酸鹽、高錳酸鹽及重氮化合物所組成的群組之一。
9.根據權利要求1所述的覆晶發光二極管的封裝制造方法,其特征在于,該步驟(e)中,該涂布的方法為低壓噴涂法、簾幕垂流法、點膠法或印刷法。
10.根據權利要求1所述的覆晶發光二極管的封裝制造方法,其特征在于,該步驟(g)中,固化感光膠體是采用加熱法;當該感光膠體還包含有一低熔點玻璃粉時,該步驟(g)還包括加熱圖案化的該涂層以達到熔化該低熔點玻璃粉及固化感光膠體。
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