[發明專利]下電極組件及具有其的化學氣相沉積設備

無效

• 申請號: 201110424005.3
• 申請日: 2011-12-19
• 公開（公告）號: CN103160812A
• 公開（公告）日: 2013-06-19
• 發明（設計）人: 袁強
• 申請（專利權）人: 北京北方微電子基地設備工藝研究中心有限責任公司
• 主分類號: C23C16/50
• 分類號: C23C16/50
• 代理公司: 北京清亦華知識產權代理事務所(普通合伙) 11201
• 代理人: 宋合成

1.一種下電極組件，其特征在于，包括：

載板，所述載板用于傳輸和承載晶片；

托盤；

托盤支架，所述托盤支架與所述托盤相連以支撐所述托盤；

加熱器，所述加熱器設在所述托盤內；和

升降機構，所述升降機構與所述托盤支架相連用于升降所述托盤，以便所述加熱器能夠加熱所述晶片。

2.如權利要求1所述的下電極組件，其特征在于，所述托盤和所述托盤支架均為多個，且在每個所述托盤內均設有所述加熱器，所述升降機構為多個且分別與所述多個托盤支架一一對應。

3.如權利要求1所述的下電極組件，其特征在于，所述托盤和所述托盤支架均為多個，且在每個所述托盤內均設有所述加熱器，所述升降機構為多個且一個所述升降機構與至少兩個所述托盤支架相連。

4.如權利要求1所述的下電極組件，其特征在于，所述加熱器的上表面低于所述托盤的上表面或與所述托盤的上表面平齊。

5.如權利要求1所述的下電極組件，其特征在于，還包括：多個轉動輪，所述多個轉動輪支撐所述載板以通過所述多個轉動輪轉動傳送所述載板。

6.如權利要求1所述的下電極組件，其特征在于，所述升降機構包括：

支撐件，所述支撐件與所述托盤支架相連用于支撐所述托盤支架；和

驅動器，所述驅動器與所支撐件相連以驅動所述支撐件升降。

7.如權利要求6所述的下電極組件，其特征在于，所述托盤支架外套設有波紋管，所述波紋管的下端與所述支撐件相連且所述波紋管的上端設有焊接法蘭。

8.如權利要求1所述的下電極組件，其特征在于，所述加熱器為鎧裝加熱器。

9.如權利要求1所述的下電極組件，其特征在于，所述托盤接地。

10.如權利要求1-9中任一項所述的下電極組件，其特征在于，所述載板設有與所述托盤對應的通孔，所述通孔允許所述托盤穿過且禁止所述晶片。

11.如權利要求10所述的下電極組件，其特征在于，所述托盤的外沿設有沿所述托盤的徑向向外延伸的凸耳，所述通孔的外沿設有沿所述通孔的徑向向外延伸且與所述凸耳對應以允許所述凸耳穿過的延伸孔部。

12.如權利要求11所述的下電極組件，其特征在于，所述凸耳的自由端設有向上延伸用于定位晶片的凸臺。

13.如權利要求10所述的下電極組件，其特征在于，還包括上載板，所述上載板放置在所述載板上且用于承載晶片，其中所述加熱器通過加熱所述上載板加熱承載在所述上載板上的所述晶片。

14.如權利要求10所述的下電極組件，其特征在于，所述加熱器直接加熱承載在所述載板上的晶片。

15.如權利要求1所述的下電極組件，其特征在于，所述加熱器通過加熱所述載板加熱所述晶片。

16.一種化學氣相沉積設備，其特征在于，包括：

反應腔體，所述反應腔體內具有反應腔；

設置在所述反應腔內且位于所述反應腔頂部的上電極板；

設置在所述反應腔內且位于所述上電極板下方的下電極組件，其中所述下電極組件為如權利要求1-15中任一項所述的下電極組件；和

控制器，所述控制器與所述下電極組件的升降機構相連，用于控制所述升降機構升降所述下電極組件的托盤以調節所述托盤與所述上電極板之間的距離。

17.如權利要求16所述的化學氣相沉積設備，其特征在于，所述控制器還與所述加熱器相連，用于控制所述加熱器。

18.如權利要求14所述的化學氣相沉積設備，其特征在于，當所述下電極組件的托盤為多個時，所述控制器對所述多個加熱器分別單獨控制。

19.如權利要求16所述的化學氣相沉積設備，其特征在于，所述控制器還用于控制將所述載板傳入和傳出所述反應腔。