[發明專利]一種濕法刻蝕工藝

無效

• 申請號: 201110423218.4
• 申請日: 2011-12-16
• 公開（公告）號: CN102569502A
• 公開（公告）日: 2012-07-11
• 發明（設計）人: 劉光;朱生賓;王永豐;謝忠陽
• 申請（專利權）人: 合肥晶澳太陽能科技有限公司
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18;C23F1/24
• 代理公司: 廣州知友專利商標代理有限公司 44104
• 代理人: 李海波

1.一種晶體硅片的濕法刻蝕工藝，主要含有背面拋光工序，其特征是：在刻蝕去邊結之后，增加采用拋光液對晶體硅背面進行拋光工序，拋光時拋光液的溫度為5~30℃，拋光時間為10s~10min，拋光液含有以下質量百分含量的組分：HF?0.5%~10%、HNO₃5%~55%、H₂SO₄5%~55%、醋酸5%~30%。

2.根據權利要求1所述的晶體硅片的濕法刻蝕工藝，其特征是：所述拋光液中還含有添加劑，所述的添加劑包括氟化銨、亞硝酸鉀、檸檬酸鉀、月桂醇醚磷酸酯鉀和十二醇硫酸酯鉀中的一種或幾種，其含量占拋光液總質量的?0~20%。

3.根據權利要求1所述的晶體硅片的濕法刻蝕工藝，其特征是：所述刻蝕去邊結包括干法去邊結和濕法去邊結。

4.根據權利要求3所述的晶體硅片的濕法刻蝕工藝，其特征是：采用干法去邊結時，所述背面拋光工序作為單獨的工序增加在干法刻蝕去邊結之后。

5.根據權利要求3所述的晶體硅片的濕法刻蝕工藝，其特征是：采用濕法去邊結時，所述背面拋光工序整合在鏈式濕法刻蝕去邊結工序中。

6.根據權利要求1-5任一項所述的晶體硅片的濕法刻蝕工藝，其特征是：在濕法刻蝕工藝中還含有去除磷硅玻璃和干燥工序。

7.根據權利要求6所述的晶體硅片的濕法刻蝕工藝，其特征是：去除磷硅玻璃時采用HF溶液，其質量百分含量為1~20%。

8.根據權利要求6所述的晶體硅片的濕法刻蝕工藝，其特征是：干燥工序采用包括風干或甩干的干燥方式。