[發(fā)明專利]一種LPCVD工藝腔中的氣體吹掃系統(tǒng)及方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201110423198.0 | 申請日: | 2011-12-16 |
| 公開(公告)號: | CN102517564A | 公開(公告)日: | 2012-06-27 |
| 發(fā)明(設計)人: | 辛科 | 申請(專利權)人: | 漢能科技有限公司 |
| 主分類號: | C23C16/455 | 分類號: | C23C16/455;C23C16/40 |
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| 地址: | 102209 北京市*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 lpcvd 工藝 中的 氣體 系統(tǒng) 方法 | ||
1.一種LPCVD工藝腔中的氣體吹掃系統(tǒng),包括加熱腔、冷卻腔和多個用于沉積BZO玻璃的工藝腔,各個腔室之間螺紋連接,其特征在于還包括設置在工藝腔內,緊鄰兩工藝腔對接腔壁處的氣體吹掃裝置。
2.根據(jù)權利要求1所述的LPCVD工藝腔中的氣體吹掃系統(tǒng),其特征在于所述氣體吹掃裝置包括用于吹掃的分氣裝置本體、吹掃氣體進氣孔、分氣裝置中用于勻氣的分氣口和固定分氣裝置的螺絲;其中,進氣孔位于工藝腔側壁緊鄰兩工藝腔對接腔壁處,分氣裝置本體一端與進氣孔連接,分氣裝置本體上壁通過螺絲與工藝腔腔蓋固定,分氣裝置本體下方連接多個分氣口。
3.根據(jù)權利要求2所述的LPCVD工藝腔中的氣體吹掃系統(tǒng),其特征在于所述分氣口呈上粗下細狀。
4.根據(jù)權利要求2所述的LPCVD工藝腔中的氣體吹掃系統(tǒng),其特征在于所述分氣口密集分布,且緊貼兩工藝腔間傳輸玻璃的縫隙。
5.根據(jù)權利要求1所述的LPCVD工藝腔中的氣體吹掃系統(tǒng),其特征在于所述吹掃系統(tǒng)還連接有控制氣體進氣和流量大小的裝置。
6.根據(jù)權利要求5所述的LPCVD工藝腔中的氣體吹掃系統(tǒng),其特征在于所述吹掃系統(tǒng)還連接有氣動閥和質量流量計。
7.一種LPCVD工藝腔中的氣體吹掃方法,通入工藝氣體的同時打開吹掃系統(tǒng)的進氣裝置,將吹掃氣體通到工藝腔室側壁的進氣孔處,吹掃氣體通過進氣孔流入到氣體分氣裝置本體,通過分氣裝置本體分流,從分氣口流出,將吹掃氣體從上往下均勻的吹掃到腔室之間的縫隙處。
8.根據(jù)權利要求7所述的LPCVD工藝腔中的氣體吹掃方法,其特征在于所述吹掃系統(tǒng)的進氣裝置為氣動閥。
9.根據(jù)權利要求8所述的LPCVD工藝腔中的氣體吹掃方法,其特征在于所述吹掃系統(tǒng)還連接有控制流量大小的裝置,優(yōu)選質量流量計。
10.根據(jù)權利要求7所述的LPCVD工藝腔中的氣體吹掃方法,其特征在于所述吹掃氣體為惰性氣體或氫氣。
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C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴散法,化學轉化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態(tài)化合物分解且表面材料的反應產物不留存于鍍層中的化學鍍覆,例如化學氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上,例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機材料為特征的





