[發(fā)明專利]鹵素?fù)诫s碲化鎘的制備方法以及鹵素?fù)诫s碲化鎘薄膜太陽(yáng)能電池及其制備方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201110423025.9
• 申請(qǐng)日: 2011-12-15
• 公開（公告）號(hào): CN103165743A
• 公開（公告）日: 2013-06-19
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王國(guó)鳳;吳勇陞;朱劉;文崇斌
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 廣東先導(dǎo)稀材股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L31/18
• 分類號(hào): H01L31/18;H01L31/0296
• 代理公司: 北京五洲洋和知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11387
• 代理人: 張向琨;劉春成

1.一種鹵素?fù)诫s碲化鎘的制備方法，其特征在于，所述鹵素?fù)诫s碲化鎘的制備方法包括步驟：

將5N鎘與5N碲按照第一規(guī)定質(zhì)量比稱料裝入反應(yīng)器中，以得到鎘碲混合物，所述第一規(guī)定質(zhì)量比是所述5N鎘與所述5N碲之間的質(zhì)量比；

向所述反應(yīng)器中按照第二規(guī)定質(zhì)量比加入4N或以上的鹵化鎘，所述第二規(guī)定質(zhì)量比是所述鹵化鎘與所述鎘碲混合物之間的質(zhì)量比；

將所述反應(yīng)器進(jìn)行抽真空至規(guī)定真空度并密封；

將密封的所述反應(yīng)器放入一加熱器內(nèi)，進(jìn)行升溫處理；以及

對(duì)升溫處理后的密封的所述反應(yīng)器進(jìn)行冷卻處理。

2.如權(quán)利要求1所述的鹵素?fù)诫s碲化鎘的制備方法，其特征在于，所述第一規(guī)定質(zhì)量比是1∶1～1.15。

3.如權(quán)利要求1所述的鹵素?fù)诫s碲化鎘的制備方法，其特征在于，所述反應(yīng)器為石英管。

4.如權(quán)利要求1所述的鹵素?fù)诫s碲化鎘的制備方法，其特征在于，所述第二規(guī)定質(zhì)量比是0.01～200mg/kg。

5.如權(quán)利要求1所述的鹵素?fù)诫s碲化鎘的制備方法，其特征在于，所述鹵化鎘選自氟化鎘、氯化鎘、溴化鎘和碘化鎘中的任一種。

6.如權(quán)利要求1所述的鹵素?fù)诫s碲化鎘的制備方法，其特征在于，所述規(guī)定真空度為10^-2～10^-5Pa。

7.如權(quán)利要求1所述的鹵素?fù)诫s碲化鎘的制備方法，其特征在于，

在將密封的所述反應(yīng)器放入加熱器內(nèi)之前，所述加熱器被升溫至第一規(guī)定溫度，所述第一規(guī)定溫度在所述鎘的熔點(diǎn)以下；

所述升溫處理包括步驟：

在將密封的所述反應(yīng)器放入所述加熱器內(nèi)后，在所述第一規(guī)定溫度下保溫第一規(guī)定時(shí)間；

之后，以第一升溫速率升溫至第二規(guī)定溫度，保溫第二規(guī)定時(shí)間，所述第二規(guī)定溫度在所述碲的熔點(diǎn)以上；以及

之后，以第二升溫速率升溫至第三規(guī)定溫度，保溫第三規(guī)定時(shí)間，其中所述第二升溫速率低于所述第一升溫速率，所述第三規(guī)定溫度在所述鹵化鎘的熔點(diǎn)以上。

8.如權(quán)利要求7所述的鹵素?fù)诫s碲化鎘的制備方法，其特征在于，

所述第一規(guī)定溫度為100～300℃，所述第一規(guī)定時(shí)間為10～30min；

所述第一升溫速率為12～15℃/min，所述第二規(guī)定溫度為700～900℃，所述第二規(guī)定時(shí)間為8～30min；

所述第二升溫速率為1～5℃/min，所述第三規(guī)定溫度為1092～1200℃，所述第三規(guī)定時(shí)間為10～18min。

9.如權(quán)利要求1所述的鹵素?fù)诫s碲化鎘的制備方法，其特征在于，所述冷卻處理為：將所述反應(yīng)器整體從所述加熱器內(nèi)直接取出，使所述反應(yīng)器進(jìn)行室溫冷卻。

10.如權(quán)利要求1所述的鹵素?fù)诫s碲化鎘的制備方法，其特征在于，所述冷卻處理為：將所述反應(yīng)器的溫度以預(yù)定冷卻速率降至預(yù)定溫度，保溫預(yù)定時(shí)間；之后將所述反應(yīng)器從所述加熱器內(nèi)直接取出，使所述反應(yīng)器進(jìn)行室溫冷卻。

11.如權(quán)利要求10所述的鹵素?fù)诫s碲化鎘的制備方法，其特征在于，所述預(yù)定冷卻速率為0.1～20℃/min，所述預(yù)定溫度為900～1080℃，所述預(yù)定時(shí)間為10～360min。

12.如權(quán)利要求1所述的鹵素?fù)诫s碲化鎘的制備方法，其特征在于，所述冷卻處理為：以規(guī)定運(yùn)動(dòng)速度將所述反應(yīng)器從所述加熱器內(nèi)取出，使所述反應(yīng)器進(jìn)行室溫冷卻。

13.如權(quán)利要求12所述的鹵素?fù)诫s碲化鎘的制備方法，其特征在于，所述規(guī)定運(yùn)動(dòng)速度為1～20mm/h。

14.一種鹵素?fù)诫s碲化鎘薄膜太陽(yáng)能電池的制備方法，其特征在于，包括步驟：

在SnO₂:F玻璃上沉積N型CdS層；

在所述N型CdS層上沉積P型鹵素?fù)诫s碲化鎘層，其中所述P型鹵素?fù)诫s碲化鎘層中的鹵素?fù)诫s碲化鎘依據(jù)權(quán)利要求1～13中任一項(xiàng)所述的鹵素?fù)诫s碲化鎘的制備方法來(lái)獲得；

利用蒸發(fā)源ZnTe和蒸發(fā)源Cu在所述P型鹵素?fù)诫s碲化鎘層上沉積形成背接觸層；以及

在所述背接觸層上沉積背面電極層。