[發(fā)明專(zhuān)利]一種集成電路測(cè)試儀在線(xiàn)編程的動(dòng)態(tài)配置方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201110422947.8 | 申請(qǐng)日: | 2011-12-16 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN102565671A | 公開(kāi)(公告)日: | 2012-07-11 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 詹惠琴;商洪亮;楊建軍;周建;王寅;古軍;羅時(shí)雨;康波 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 電子科技大學(xué) |
| 主分類(lèi)號(hào): | G01R31/28 | 分類(lèi)號(hào): | G01R31/28;G06F9/445 |
| 代理公司: | 成都行之專(zhuān)利代理事務(wù)所(普通合伙) 51220 | 代理人: | 溫利平 |
| 地址: | 611731 四川省成*** | 國(guó)省代碼: | 四川;51 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 集成電路 測(cè)試儀 在線(xiàn) 編程 動(dòng)態(tài) 配置 方法 | ||
1.一種集成電路測(cè)試儀在線(xiàn)編程的動(dòng)態(tài)配置方法,其特征在于,包括以下步驟:
(1)、在集成電路測(cè)試儀的上位機(jī)中,上電后用戶(hù)可以選擇是否重新編寫(xiě)測(cè)試程序,如果重新編寫(xiě)測(cè)試程序,則上位機(jī)將新編寫(xiě)的測(cè)試程序進(jìn)行編譯后通過(guò)USB接口向下位機(jī)下載,下載成功后,等待下位機(jī)通過(guò)USB接口返回測(cè)試結(jié)果,如果有返回測(cè)試結(jié)果,則接收測(cè)試結(jié)果并保存;如果不需要重新編寫(xiě)測(cè)試程序,則直接等待下位機(jī)通過(guò)USB接口返回測(cè)試結(jié)果,如果有返回測(cè)試結(jié)果,則接收測(cè)試結(jié)果并保存;
(2)、在集成電路測(cè)試儀的下位機(jī)中,將微處理器的一外部引腳定義為啟動(dòng)閃存選擇引腳,用戶(hù)在測(cè)試程序出錯(cuò)的情況下,將啟動(dòng)閃存選擇引腳電平設(shè)置NorFlash閃存啟動(dòng)對(duì)應(yīng)的電平,否則,設(shè)置為NandFlash閃存啟動(dòng)對(duì)應(yīng)的電平;
下位機(jī)上電后,微處理器根據(jù)啟動(dòng)閃存選擇引腳的電平,決定從NorFlash閃還是從NandFlash閃存啟動(dòng);
如果從NandFlash閃存中啟動(dòng)則代表測(cè)試儀目前的狀態(tài)為運(yùn)行模式,微處理器將NandFlash閃存中前段的啟動(dòng)程序自動(dòng)拷貝到它內(nèi)部的SRAM存儲(chǔ)器中,微處理器運(yùn)行啟動(dòng)程序,把前段的啟動(dòng)程序和后一段的測(cè)試程序從NandFlash閃存中拷貝到外接的SDRAM存儲(chǔ)器中,然后從SDRAM存儲(chǔ)器中取指令開(kāi)始執(zhí)行,進(jìn)行測(cè)試任務(wù),然后將測(cè)試結(jié)果通過(guò)USB接口返回上位機(jī);在測(cè)試過(guò)程中,如果接收到上位機(jī)發(fā)送的數(shù)據(jù),則判斷是否為測(cè)試程序,如果是,則將該測(cè)試程序存入NandFlash閃存中并覆蓋之前的測(cè)試程序,然后自動(dòng)重啟并根據(jù)新的測(cè)試程序進(jìn)行測(cè)試;
如果從NorFlash閃存啟動(dòng),則代表測(cè)試儀器目前的狀態(tài)為下載模式,微處理器直接從NorFlash閃存中讀取引導(dǎo)程序和下載程序并執(zhí)行,初始化USB接口完成后開(kāi)始等待測(cè)試程序下載,下載成功后微處理器將測(cè)試程序直接寫(xiě)入到NandFlash閃存中,覆蓋之前的測(cè)試程序,然后用戶(hù)再重新設(shè)置啟動(dòng)閃存選擇引腳的電平,切換回運(yùn)行模式,并重新啟動(dòng)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路測(cè)試儀在線(xiàn)編程的動(dòng)態(tài)配置方法,其特征在于,所述的SDRAM存儲(chǔ)器分為三個(gè)區(qū):A區(qū)、B區(qū)以及A區(qū)、B區(qū)之間的區(qū)域;
A區(qū)為存儲(chǔ)在正常運(yùn)行模式下從NandFlash拷貝過(guò)來(lái)的啟動(dòng)程序和測(cè)試程序;中間部分的大片內(nèi)存分區(qū),即A區(qū)、B區(qū)之間的區(qū)域?yàn)轭A(yù)留給測(cè)試儀使用的分區(qū),用以滿(mǎn)足變量空間的分配以及中斷處理過(guò)程棧區(qū)的分配;剩下的B區(qū)用于存放下載的測(cè)試程序;
所述的下載成功后微處理器將測(cè)試程序直接寫(xiě)入到NandFlash閃存中,先將測(cè)試程序存放到SDRAM存儲(chǔ)器的B區(qū)進(jìn)行緩存,然后在寫(xiě)入到NandFlash閃存中。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的集成電路測(cè)試儀在線(xiàn)編程的動(dòng)態(tài)配置方法,其特征在于,測(cè)試程序接收完畢后,即全部存放到SDRAM存儲(chǔ)器的B區(qū)后進(jìn)行校驗(yàn),如果不正確,則返回信息給上位機(jī),讓其重新發(fā)送,如果正確,則將其從SDRAM的B區(qū)寫(xiě)入到NandFlash閃存中;
測(cè)試程序?qū)懭隢andFlash閃存后,需要讀出寫(xiě)入的測(cè)試程序,檢驗(yàn)寫(xiě)入是否正確,如果不正確,則重新寫(xiě)入。
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G01R 測(cè)量電變量;測(cè)量磁變量
G01R31-00 電性能的測(cè)試裝置;電故障的探測(cè)裝置;以所進(jìn)行的測(cè)試在其他位置未提供為特征的電測(cè)試裝置
G01R31-01 .對(duì)相似的物品依次進(jìn)行測(cè)試,例如在成批生產(chǎn)中的“過(guò)端—不過(guò)端”測(cè)試;測(cè)試對(duì)象多點(diǎn)通過(guò)測(cè)試站
G01R31-02 .對(duì)電設(shè)備、線(xiàn)路或元件進(jìn)行短路、斷路、泄漏或不正確連接的測(cè)試
G01R31-08 .探測(cè)電纜、傳輸線(xiàn)或網(wǎng)絡(luò)中的故障
G01R31-12 .測(cè)試介電強(qiáng)度或擊穿電壓
G01R31-24 .放電管的測(cè)試
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