[發明專利]一種功率開關驅動器、IC芯片及直流-直流轉換器

有效

• 申請號: 201110422515.7
• 申請日: 2011-12-15
• 公開（公告）號: CN102545560A
• 公開（公告）日: 2012-07-04
• 發明（設計）人: 楊喆;王釗
• 申請（專利權）人: 無錫中星微電子有限公司
• 主分類號: H02M1/088
• 分類號: H02M1/088;H02M3/155
• 代理公司: 北京同達信恒知識產權代理有限公司 11291
• 代理人: 黃志華

1.一種功率開關驅動器，包括用于控制P型功率開關的N溝道金屬氧化物半導體場效應晶體管NMOS，以及用于控制N型功率開關的P溝道金屬氧化物半導體場效應晶體管PMOS，所述NMOS的柵極和PMOS的柵極分別通過反相器連接到兩相不交疊時鐘，其特征在于，該功率開關驅動器還包括：

第一電阻，連接在所述NMOS的源極與地之間；以及，

第二電阻，連接在所述PMOS的源極與所述功率開關驅動器的正極之間。

2.根據權利要求1所述的功率開關驅動器，其特征在于，該功率開關驅動器還包括：

連接于所述NMOS的漏級與所述P型功率開關的柵極之間的第三電阻；以及，

連接于所述PMOS的漏級與所述N型功率開關的柵極之間的第四電阻。

3.根據權利要求2所述的功率開關驅動器，其特征在于，

所述第一電阻的阻值，與所述第三電阻的阻值相等；

所述第二電阻的阻值，與所述第四電阻的阻值相等。

4.根據權利要求2所述的功率開關驅動器，其特征在于，所述第一電阻的阻值取值范圍為：

100歐姆～400歐姆。

5.根據權利要求2所述的功率開關驅動器，其特征在于，所述第二電阻的阻值取值范圍為：

100歐姆～400歐姆。

6.根據權利要求2所述的功率開關驅動器，其特征在于，所述第三電阻的阻值取值范圍為：

100歐姆～400歐姆。

7.根據權利要求2所述的功率開關驅動器，其特征在于，所述第四電阻的阻值取值范圍為：

100歐姆～400歐姆。

8.一種集成電路IC芯片，其特征在于，該集成電路IC芯片包括權利要求1-7任一權項所述的功率開關驅動器。

9.一種直流-直流轉換器，其特征在于，該轉換器包括權利要求1-7任一權項所述的功率開關驅動器。