[發(fā)明專利]銅銦鎵硒太陽(yáng)能電池裝置及其制備方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201110422209.3 | 申請(qǐng)日: | 2011-12-15 |
| 公開(公告)號(hào): | CN102522437A | 公開(公告)日: | 2012-06-27 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 尹苓;肖旭東;張康 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 香港中文大學(xué);中國(guó)科學(xué)院深圳先進(jìn)技術(shù)研究院 |
| 主分類號(hào): | H01L31/032 | 分類號(hào): | H01L31/032;H01L31/18;C23C28/00 |
| 代理公司: | 廣州華進(jìn)聯(lián)合專利商標(biāo)代理有限公司 44224 | 代理人: | 吳平 |
| 地址: | 中國(guó)香港*** | 國(guó)省代碼: | 中國(guó)香港;81 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 銅銦鎵硒 太陽(yáng)能電池 裝置 及其 制備 方法 | ||
1.一種銅銦鎵硒太陽(yáng)能電池裝置,包括依次層疊設(shè)置的襯底、背電極層、銅銦鎵硒光吸收層、緩沖層、阻擋層及導(dǎo)電窗口層,其特征在于,所述導(dǎo)電窗口層為n型的石墨烯薄膜。
2.如權(quán)利要求1所述的銅銦鎵硒太陽(yáng)能電池裝置,其特征在于,所述n型的石墨烯薄膜包括多層層疊設(shè)置的單層石墨烯。
3.如權(quán)利要求2所述的銅銦鎵硒太陽(yáng)能電池裝置,其特征在于,所述多層是4層。
4.如權(quán)利要求1所述的銅銦鎵硒太陽(yáng)能電池裝置,其特征在于,所述襯底的材料為玻璃、不銹鋼或柔性聚合物;所述背電極層的材料為鉬;所述緩沖層的材料為硫化鎘;所述阻擋層的材料為i-ZnO。
5.一種銅銦鎵硒太陽(yáng)能電池裝置的制備方法,其特征在于,包括如下步驟:
在襯底上制備依次層疊設(shè)置的背電極層、銅銦鎵硒光吸收層、緩沖層及阻擋層;
在所述阻擋層表面粘合石墨烯薄膜;
對(duì)所述石墨烯薄膜處理形成n型的石墨烯薄膜作為導(dǎo)電窗口層;及
對(duì)所述n型的石墨烯薄膜與所述阻擋層之間進(jìn)行鍵合處理,得到所述銅銦鎵硒太陽(yáng)能電池。
6.如權(quán)利要求5所述的銅銦鎵硒太陽(yáng)能電池裝置,其特征在于,在襯底上制備依次層疊設(shè)置的背電極層、銅銦鎵硒光吸收層、緩沖層及阻擋層包括如下步驟:使用磁控濺射鉬金屬靶材沉積得到鉬金屬層作為背電極層;使用磁控濺射硒化或者四源共蒸發(fā)工藝制備銅銦鎵硒光吸收層;使用化學(xué)水浴法沉積硫化鎘得到硫化鎘層作為緩沖層;使用射頻磁控濺射氧化鋅陶瓷靶材沉積i-ZnO高阻層作為阻擋層,其中,所述射頻磁控濺射氧化鋅陶瓷靶材過(guò)程中功率密度為0.5~0.8W/cm2,濺射時(shí)間為10min~15min,氣流體積比Ar∶O2為10∶1。
7.如權(quán)利要求5所述的銅銦鎵硒太陽(yáng)能電池裝置的制備方法,其特征在于,所述石墨烯薄膜為單層石墨烯,所述在阻擋層表面粘合石墨烯薄膜包括如下步驟:
用化學(xué)氣相沉積法在金屬基底上制備單層石墨烯;
在所述單層石墨烯表面涂覆一層樹脂載體;
腐蝕去除所述金屬基底,洗凈后得到粘有樹脂載體的所述單層石墨烯;
將粘有樹脂載體的單層石墨烯貼附在所述阻擋層表面;
以及溶解去除樹脂載體。
8.如權(quán)利要求5所述的銅銦鎵硒太陽(yáng)能電池裝置的制備方法,其特征在于,所述石墨烯薄膜為多層層疊設(shè)置的單層石墨烯,所述在阻擋層表面粘合石墨烯薄膜包括如下步驟:
用化學(xué)氣相沉積法在金屬基底上制備單層石墨烯;
在所述單層石墨烯表面涂覆一層樹脂載體;
腐蝕去除所述金屬基底,洗凈后得到粘有樹脂載體的所述單層石墨烯;
將粘有樹脂載體的單層石墨烯貼附在所述阻擋層表面;
溶解去除樹脂載體;以及
重復(fù)上述步驟將多層的單層石墨烯貼附在所述阻擋層表面。
9.如權(quán)利要求7或8所述的銅銦鎵硒太陽(yáng)能電池裝置的制備方法,其特征在于,所述用化學(xué)氣相沉積法在金屬基底上制備單層石墨烯薄膜包括如下步驟:
室溫下,將清洗后的金屬基底放入化學(xué)氣相沉積爐中,抽真空后通入氫氣,并調(diào)節(jié)氫氣流量至爐中氣壓為250~350毫托;
升溫至900~1000℃,將所述金屬基底在氫氣氛圍下退火20~30分鐘;
向爐中通入甲烷,調(diào)節(jié)甲烷流量為10sccm,并控制氫氣流量為5sccm,保持加熱溫度不變,反應(yīng)25~35分鐘后降溫至室溫,取出金屬基底,所述金屬基底表面即沉積有單層石墨烯。
10.如權(quán)利要求5所述的銅銦鎵硒太陽(yáng)能電池裝置的制備方法,其特征在于,對(duì)所述石墨烯薄膜處理形成n型的石墨烯薄膜的步驟包括:將前步驟制得的結(jié)構(gòu)置于體積濃度為20%~99%的乙醇水溶液中浸泡或者其蒸汽中浸沒(méi)處理10~15分鐘,或者前步驟制得的結(jié)構(gòu)置于體積濃度為5%~35%的氨水中浸泡或者其蒸汽中浸沒(méi)處理10~15分鐘,最后通入氮?dú)獯蹈?,?duì)石墨烯薄膜進(jìn)行n型摻雜。
11.如權(quán)利要求5所述的銅銦鎵硒太陽(yáng)能電池裝置的制備方法,其特征在于,所述對(duì)n型的石墨烯薄膜與阻擋層之間進(jìn)行鍵合處理包括如下步驟:將制得包含n型的石墨烯薄膜和阻擋層的結(jié)構(gòu)置于真空度為10-3~10-6Pa的真空環(huán)境中,通入乙醇蒸汽,維持氣壓在0.01Pa~0.1Pa,再在所述石墨烯薄膜的表面均勻施加5~10個(gè)大氣壓,維持壓力10分鐘~10小時(shí)。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或者專門適用于通過(guò)這樣的輻射進(jìn)行電能控制的半導(dǎo)體器件;專門適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過(guò)該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的,一個(gè)或多個(gè)電光源,如場(chǎng)致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的,并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的





