[發(fā)明專利]太陽(yáng)能電池有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201110422190.2 | 申請(qǐng)日: | 2011-12-16 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN103165690A | 公開(kāi)(公告)日: | 2013-06-19 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 金元浩;李群慶;范守善 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 清華大學(xué);鴻富錦精密工業(yè)(深圳)有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L31/0224 | 分類號(hào): | H01L31/0224;H01L31/0687;H01L31/18 |
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| 地址: | 100084 北京市海淀區(qū)清*** | 國(guó)省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 太陽(yáng)能電池 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種太陽(yáng)能電池。
背景技術(shù)
太陽(yáng)能電池是利用半導(dǎo)體材料的光生伏特原理制成的。根據(jù)半導(dǎo)體光電轉(zhuǎn)換材料種類不同,太陽(yáng)能電池可以分為硅基太陽(yáng)能電池(請(qǐng)參見(jiàn)太陽(yáng)能電池及多晶硅的生產(chǎn),材料與冶金學(xué)報(bào),張明杰等,vol6,p33-38(2007))、砷化鎵太陽(yáng)能電池以及有機(jī)薄膜太陽(yáng)能電池等。
目前,太陽(yáng)能電池以硅基太陽(yáng)能電池為主。現(xiàn)有技術(shù)中的硅基太陽(yáng)能電池包括:一背電極、一P型硅層、一N型硅層和一上電極。所述背電極設(shè)置于所述P型硅層的一表面。所述N型硅層形成于所述P型硅層的另一表面,作為光電轉(zhuǎn)換的材料。所述上電極設(shè)置于所述N型硅層的表面。所述太陽(yáng)能電池中P型硅層和N型硅層形成P-N結(jié)區(qū)。當(dāng)該太陽(yáng)能電池在工作時(shí),光從上電極一側(cè)直接入射,并經(jīng)過(guò)所述上電極和所述N型硅層到達(dá)所述P-N結(jié)區(qū),所述P-N結(jié)區(qū)在光子激發(fā)下產(chǎn)生多個(gè)電子-空穴對(duì)(載流子),所述電子-空穴對(duì)在靜電勢(shì)能作用下分離并分別向所述背電極和上電極移動(dòng)。如果在所述太陽(yáng)能電池的背電極與上電極連接外電路中的負(fù)載。
然而,上述結(jié)構(gòu)中所述光子需要通過(guò)所述上電極和所述N型硅層之后才到達(dá)所述P-N結(jié)區(qū),使得一部分入射光線被所述上電極和N型硅層吸收,使所述P-N結(jié)區(qū)對(duì)光的吸收率較低,進(jìn)而減少了P-N結(jié)區(qū)激發(fā)出的載流子的量,降低了太陽(yáng)能電池的光電轉(zhuǎn)換效率。并且,上述結(jié)構(gòu)中所述背電極和上電極的材料多為金屬、導(dǎo)電聚合物或銦錫氧化物。該幾種材料的導(dǎo)電性仍有待提高,從而使太陽(yáng)能電池的光電轉(zhuǎn)換效率受限。
發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此,確有必要提供一種具有較高光電轉(zhuǎn)換效率的太陽(yáng)能電池。
一種太陽(yáng)能電池,其包括:M個(gè)沿一直線連續(xù)并排且串聯(lián)連接的P-N結(jié)單元、M-1個(gè)內(nèi)電極、一第一收集電極以及一第二收集電極,其中M大于等于2,所述M個(gè)P-N結(jié)單元依次為第一個(gè)P-N結(jié)單元至第M個(gè)P-N結(jié)單元,每相鄰兩個(gè)P-N結(jié)單元之間設(shè)置有一內(nèi)電極,所述第一收集電極及第二收集電極分離設(shè)置于串聯(lián)連接的所述M個(gè)P-N結(jié)單元的外側(cè),其特征在于,所述M-1個(gè)內(nèi)電極中至少一個(gè)內(nèi)電極包括一碳納米管陣列,所述碳納米管陣列包括大致平行的多個(gè)碳納米管,該多個(gè)碳納米管的兩端分別連接于相鄰的兩個(gè)P-N結(jié)單元,所述太陽(yáng)能電池具有一受光端面,該受光端面平行于所述直線。
相較于現(xiàn)有技術(shù),本發(fā)明提供的太陽(yáng)能電池具備以下有益效果:第一,所述太陽(yáng)能電池工作時(shí),光可直接入射至所述受光端面,由于該受光端面沒(méi)有被電極覆蓋,使得光子不必先經(jīng)過(guò)電極、N型硅層后才到達(dá)P-N結(jié)區(qū),從而減少了電極和N型硅層對(duì)光的吸收,提高了P-N結(jié)區(qū)的光吸收率,相應(yīng)地,使得P-N結(jié)區(qū)可激發(fā)出更多的電子-空穴對(duì),提高了整個(gè)太陽(yáng)能電池的光電轉(zhuǎn)換效率;第二,采用碳納米管陣列作內(nèi)電極從而串聯(lián)所述M個(gè)P-N結(jié)單元,碳納米管陣列中的碳納米管由該一P-N結(jié)單元的第一表面延伸至相鄰的另一P-N結(jié)單元的第二表面并接觸,兩個(gè)P-N結(jié)單元中產(chǎn)生的電流延碳納米管軸向方向傳導(dǎo)進(jìn)而串聯(lián)兩個(gè)P-N結(jié)單元,碳納米管軸向方向上具有良好的導(dǎo)電性,使從而消耗于太陽(yáng)能電池內(nèi)部的電流減小,提高了太陽(yáng)能電池的光電轉(zhuǎn)換效率;第三,碳納米管陣列具有良好的穩(wěn)定性和機(jī)械強(qiáng)度,因此采用碳納米管陣列作為太陽(yáng)能電池的內(nèi)電極可提高太陽(yáng)能電池的使用壽命。
附圖說(shuō)明
圖1為本發(fā)明第一實(shí)施例提供的太陽(yáng)能電池的主視圖。
圖2為本發(fā)明第一實(shí)施例提供的太陽(yáng)能電池的立體結(jié)構(gòu)示意圖。
圖3為本發(fā)明第一實(shí)施例提供的太陽(yáng)能電池的局部放大圖。
圖4為本發(fā)明第一實(shí)施例提供的太陽(yáng)能電池的局部放大圖。
圖5為本發(fā)明第二實(shí)施例提供的太陽(yáng)能電池的制備方法的工藝流程圖。
如下具體實(shí)施方式將結(jié)合上述附圖進(jìn)一步說(shuō)明本發(fā)明。
主要元件符號(hào)說(shuō)明
太陽(yáng)能電池????????????????????????10
出光端面??????????????????????????11
P-N結(jié)單元???????????????????????????????????12
透明絕緣層??????????????????????????????????13
內(nèi)電極??????????????????????????????????????14
反射元件????????????????????????????????????15
第一收集電極????????????????????????????????16
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- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門(mén)適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或者專門(mén)適用于通過(guò)這樣的輻射進(jìn)行電能控制的半導(dǎo)體器件;專門(mén)適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過(guò)該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的,一個(gè)或多個(gè)電光源,如場(chǎng)致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的,并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的





