[發(fā)明專利]提高聚四氟乙烯薄膜親水性的原子層沉積方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201110421739.6 | 申請日： | 2011-12-15 |
| 公開（公告）號： | CN103160807A | 公開（公告）日： | 2013-06-19 |
| 發(fā)明（設計）人： | 萬軍;趙柯杰;黃成強;饒志鵬;陳波;李超波;夏洋;呂樹玲;石莎莉 | 申請（專利權）人： | 中國科學院微電子研究所 |
| 主分類號： | C23C16/44 | 分類號： | C23C16/44 |
| 代理公司： | 北京市德權律師事務所 11302 | 代理人： | 劉麗君 |
| 地址： | 100029 *** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 提高 聚四氟乙烯 薄膜 親水性 原子 沉積 方法 | ||
1.一種提高聚四氟乙烯薄膜親水性的原子層沉積方法，其特征在于，包括：
將聚四氟乙烯薄膜放置于原子層沉積設備反應腔中；
向所述原子層沉積設備反應腔中通入四氯化碳，所述四氯化碳與所述聚四氟乙烯薄膜表面發(fā)生碳化學吸附，使得所述四氯化碳中的碳原子吸附在所述聚四氟乙烯薄膜表面；
向所述原子層沉積設備反應腔中通入含羥基基團的物質，所述含羥基基團的物質與所述聚四氟乙烯薄膜表面發(fā)生鹵代反應，待反應完全后，所述聚四氟乙烯薄膜表面即生成高含量羥基基團的薄膜結構；
逐層生長表面有高含量羥基基團的聚四氟乙烯薄膜。
2.如權利要求1所述的提高聚四氟乙烯薄膜親水性的原子層沉積方法，其特征在于：
所述四氯化碳的流量為5sccm-30sccm，暴露時間為0.02s-0.5s。
3.如權利要求1所述的提高聚四氟乙烯薄膜親水性的原子層沉積方法，其特征在于：
所述含羥基基團的物質為水。
4.如權利要求3所述的提高聚四氟乙烯薄膜親水性的原子層沉積方法，其特征在于：
所述水的流量為5sccm-50sccm，時間為0.3s-1s。
5.如權利要求1所述的提高聚四氟乙烯薄膜親水性的原子層沉積方法，其特征在于，所述將聚四氟乙烯薄膜放置于原子層沉積設備反應腔中之后還包括：
向所述原子層沉積設備反應腔中通入氫氣和氬氣的混合氣體，并啟動等離子體放電，電離后的氫氣在聚四氟乙烯薄膜表面進行化學取代反應，在所述聚四氟乙烯薄膜表面形成碳氫鍵。
6.如權利要求1所述的提高聚四氟乙烯薄膜親水性的原子層沉積方法，其特征在于，所述在向所述原子層沉積設備反應腔中通入四氯化碳的步驟之前還包括：
向原子層沉積設備反應腔通入氬氣或氮氣，通入流量為20sccm，時間為5s-10s。
7.如權利要求1所述的提高聚四氟乙烯薄膜親水性的原子層沉積方法，其特征在于，所述在向所述原子層沉積設備反應腔中通入含羥基基團的物質的步驟之前還包括：
向原子層沉積設備反應腔通入氬氣或氮氣，通入流量為20sccm，時間為5s-10s。
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C23C 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面擴散法，化學轉化或置換法的金屬材料表面處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態(tài)化合物分解且表面材料的反應產(chǎn)物不留存于鍍層中的化學鍍覆，例如化學氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上，例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機材料為特征的
