[發明專利]高電壓裝置

有效

• 申請號: 201110421137.0
• 申請日: 2011-12-15
• 公開（公告）號: CN103065967A
• 公開（公告）日: 2013-04-24
• 發明（設計）人: G·張;P·R·維爾馬;B·朱
• 申請（專利權）人: 新加坡商格羅方德半導體私人有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L29/78;H01L29/40;H01L29/06
• 代理公司: 北京戈程知識產權代理有限公司 11314
• 代理人: 程偉;王錦陽

1.一種形成裝置的方法，包括：

提供具有裝置區域的襯底，其中該裝置區域包括定義于該襯底上的源極區域、柵極區域、及漏極區域，該襯底制備有在該襯底上的柵極層；

圖案化該柵極層以形成在該柵極區域中的柵極及形成圍繞該漏極區域的場結構；

形成在該源極區域及該漏極區域中的源極及漏極，其中該漏極在該柵極的第二側上與該柵極分開且該源極相鄰于該柵極的第一側；以及

形成互連至該場結構，該互連是耦合至電位，其中，該電位在該柵極的第二側及該漏極間將電場分布橫越該襯底。

2.根據權利要求1所述的方法，另包括在該柵極及該漏極間于該襯底中沿著溝道寬度方向形成內部裝置隔離區域。

3.根據權利要求2所述的方法，另包括在該柵極及漏極區域間于該襯底中形成從部分該柵極的下面露出的漂移井。

4.根據權利要求2所述的方法，其中，該漂移井圍繞該漏極及該內部裝置隔離區域。

5.根據權利要求1所述的方法，另包括形成隔離區域，其中，該隔離區域將該裝置區域與該裝置的其它區域隔離。

6.根據權利要求5所述的方法，另包括形成設置在該隔離區域內的裝置井。

7.根據權利要求6所述的方法，其中，該裝置井圍繞該源極、該漏極、該漂移井、及該內部裝置隔離區域。

8.根據權利要求1所述的方法，其中，該裝置為NMOS晶體管。

9.根據權利要求8所述的方法，其中，與該互連耦合的該電位低于該漏極的電位。

10.根據權利要求1所述的方法，其中，該裝置為PMOS晶體管。

11.根據權利要求10所述的方法，其中，與該互連耦合的該電位高于該漏極的電位。

12.根據權利要求1所述的方法，其中，該場結構包括導電材料。

13.根據權利要求1所述的方法，其中，該場結構包括柵極電極。

14.根據權利要求13所述的方法，其中，該場結構包括在該柵極電極上方的柵極介電。

15.根據權利要求1所述的方法，另包括在該源極及漏極區域上形成硅化物接觸。

16.一種形成裝置的方法，包括：

提供具有裝置區域的襯底，其中該裝置區域包括定義于該襯底上的源極區域、柵極區域、及漏極區域；

形成在該柵極及漏極區域間于該襯底中的漂移井；

沉積在該襯底上的柵極層；

圖案化該柵極層以形成在該柵極區域中的柵極及形成圍繞該漏極區域的場結構；

形成在該源極區域及該漏極區域中的源極及漏極，其中，該漏極在該柵極的第二側上與該柵極分開且該源極相鄰于該柵極的第一側；以及

形成互連至該場結構，該互連耦合至電位，其中該電位在該柵極的第二側及該漏極間將電場分布橫越該襯底。

17.根據權利要求16所述的方法，其中，該漂移井從部分該柵極的下面露出。

18.根據權利要求16所述的方法，其中，該裝置為NMOS晶體管，與該互連耦合的該電位低于該漏極的電位。

19.根據權利要求16所述的方法，其中，該裝置為PMOS晶體管，與該互連耦合的該電位高于該漏極的電位。

20.一種裝置，包括：

具有裝置區域的襯底，其中，該裝置區域包括定義于該襯底上的源極區域、柵極區域、及漏極區域；

圍繞該漏極區域的場結構；

在該源極區域及該漏極區域中的源極及漏極，其中該漏極在該柵極的第二側上與該柵極分開且該源極相鄰于該柵極的第一側；以及

至該場結構的互連，該互連耦合至電位，其中該電位在該柵極的第二側及該漏極間將電場分布橫越該襯底。