[發(fā)明專利]進(jìn)氣系統(tǒng)、腔室裝置和基片處理設(shè)備

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201110420762.3
• 申請日: 2011-12-14
• 公開（公告）號: CN103160806A
• 公開（公告）日: 2013-06-19
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 王一帆
• 申請（專利權(quán)）人: 北京北方微電子基地設(shè)備工藝研究中心有限責(zé)任公司
• 主分類號: C23C16/44
• 分類號: C23C16/44;C23C16/455;C23C16/458;C23C16/46
• 代理公司: 北京清亦華知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11201
• 代理人: 賈玉

1.一種腔室裝置的進(jìn)氣系統(tǒng)，其特征在于，通過同步調(diào)整進(jìn)氣管軸向上間隔分布的多組氣體分配孔中每一組氣體分配孔的開口尺寸，以控制所述氣體分配孔的通氣量，進(jìn)而調(diào)節(jié)腔室裝置內(nèi)的溫度。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的腔室裝置的進(jìn)氣系統(tǒng)，其特征在于，所述腔室裝置的進(jìn)氣系統(tǒng)，包括：

進(jìn)氣管，所述進(jìn)氣管的第一端敞開且第二端封閉，在所述進(jìn)氣管的軸向上間隔開地設(shè)有多組氣體分配孔，每一組所述氣體分配孔是沿所述進(jìn)氣管的周向分布；和

調(diào)節(jié)機(jī)構(gòu)，所述調(diào)節(jié)機(jī)構(gòu)可移動地設(shè)在所述進(jìn)氣管內(nèi)，所述調(diào)節(jié)機(jī)構(gòu)包括沿所述進(jìn)氣管的軸向間隔開的多個調(diào)節(jié)元件且相鄰調(diào)節(jié)元件之間通過連接條相互串聯(lián)連接，每個所述調(diào)節(jié)元件與所述多組氣體分配孔中的一組對應(yīng)，用于由所述調(diào)節(jié)機(jī)構(gòu)的移動來調(diào)節(jié)所述氣體分配孔的通氣面積。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的腔室裝置的進(jìn)氣系統(tǒng)，其特征在于，所述進(jìn)氣管為圓管且所述多個調(diào)節(jié)元件為圓筒體，所述圓筒體的外徑小于所述進(jìn)氣管的內(nèi)徑，所述多個調(diào)節(jié)元件相對于所述進(jìn)氣管可沿豎直方向滑動。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的腔室裝置的進(jìn)氣系統(tǒng)，其特征在于，所述進(jìn)氣管為圓管，每個所述調(diào)節(jié)元件為圓筒體，沿所述圓筒體的周向設(shè)有一組通氣孔，所述一組通氣孔中的每個通氣孔與所述一組氣體分配孔中的每個氣體分配孔一一對應(yīng)且形狀相同面積相等，隨著所述調(diào)節(jié)機(jī)構(gòu)的移動使所述通氣孔相對于所對應(yīng)的氣體分配孔在完全重合的第一位置與錯位的第二位置之間移動。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的腔室裝置的進(jìn)氣系統(tǒng)，其特征在于，所述調(diào)節(jié)機(jī)構(gòu)沿豎直方向可旋轉(zhuǎn)地設(shè)在所述進(jìn)氣管內(nèi)。

6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的腔室裝置的進(jìn)氣系統(tǒng)，其特征在于，所述調(diào)節(jié)機(jī)構(gòu)可上下滑動地設(shè)在所述進(jìn)氣管內(nèi)。

7.根據(jù)權(quán)利要求2-6中任一項(xiàng)所述的腔室裝置的進(jìn)氣系統(tǒng)，其特征在于，所述調(diào)節(jié)元件由經(jīng)過表面處理的不銹鋼、鋁合金或石英形成，所述表面處理包括氧化、噴砂。

8.一種腔室裝置，其特征在于，包括：

腔室本體，所述腔室本體內(nèi)限定有工藝腔，所述腔室本體內(nèi)設(shè)有排氣通道，所述排氣通道通過形成在所述腔室本體的內(nèi)壁上的排氣口與所述工藝腔連通且通過形成在腔室本體外壁上的出氣口與外界連通；

多層托盤，所述多層托盤沿豎直方向間隔開地設(shè)置在所述工藝腔內(nèi)，用于放置基片；和

進(jìn)氣系統(tǒng)，所述進(jìn)氣系統(tǒng)是根據(jù)權(quán)利要求1-7中任一項(xiàng)所述的腔室裝置的進(jìn)氣系統(tǒng)，其中所述進(jìn)氣系統(tǒng)的進(jìn)氣管的第一端與外部氣源相通且第二端插入到所述工藝腔內(nèi)，其中所述多組氣體分配孔與所述多層托盤一一對應(yīng)。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的腔室裝置，其特征在于，所述排氣口為多組，所述多組排氣口分別與所述多層托盤一一對應(yīng)。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的腔室裝置，其特征在于，還包括感應(yīng)加熱線圈，所述感應(yīng)加熱線圈圍繞所述腔室本體外面設(shè)置。

11.一種基片處理設(shè)備，其特征在于，包括根據(jù)權(quán)利要求8-10中任一項(xiàng)所述的腔室裝置。

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的基片處理設(shè)備，其特征在于，所述基片處理設(shè)備為MOCVD設(shè)備。