[發明專利]IGBT用區熔單晶硅雙面拋光片的有蠟貼片工藝有效
| 申請號： | 201110420559.6 | 申請日： | 2011-12-15 |
| 公開（公告）號： | CN102490439A | 公開（公告）日： | 2012-06-13 |
| 發明（設計）人： | 孫晨光;武衛;張宇;劉振福 | 申請（專利權）人： | 天津中環領先材料技術有限公司 |
| 主分類號： | B32B37/06 | 分類號： | B32B37/06;B32B37/10;B32B37/12;H01L21/304;B24B29/02 |
| 代理公司： | 天津中環專利商標代理有限公司 12105 | 代理人： | 莫琪 |
| 地址： | 300384 天津市西青區*** | 國省代碼： | 天津;12 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | igbt 用區熔 單晶硅 雙面 拋光 有蠟貼片 工藝 | ||
【權利要求書】：
1.IGBT用區熔單晶硅雙面拋光片的有蠟貼片工藝，其特征在于：所述工藝包括如下次序的步驟：?
設定供蠟量：貼蠟部的滴蠟量控制在1～1.5ml/次范圍，貼第一面和貼第二面設定供蠟量相同；
設定涂蠟轉速：涂蠟后硅片高速旋轉，將蠟在硅片表面涂抹均勻，涂蠟轉速范圍設定，
對于第一面既腐蝕面涂蠟轉速：3000-4000rpm，對于第二面既拋光面涂蠟轉速：2000-3000rpm；
烘烤溫度：涂蠟結束后硅片被送進烘箱進行烘烤，以揮發掉蠟中的IPA等有機成分，溫度下限為70℃，上限為280℃，貼第一面和貼第二面時所設定的烘烤溫度相同；
陶瓷板溫度：將貼蠟后的超薄區熔硅片放到已預熱的陶瓷板上進行貼片，陶瓷板溫度控制范圍為85～120℃，貼第一面和貼第二面時所設定的陶瓷板溫度相同；
貼片壓力：使用氣囊對帶有蠟膜的硅片進行加壓，氣囊的壓力在15-25psi?之間進行調整，貼第一面和貼第二面時所設定的貼片壓力相同；
????根據上述方法，區熔硅片經有蠟貼片拋光工藝獲得的區熔硅雙面拋光片達到：
????厚度公差：±5μm；
????TTV：≤3μm，TTV為總厚度偏差；
????TIR：≤1.5?μm，TIR為平整度；
STIR：≤1.5?μm，?STIR為局部平整度；?
表面潔凈度：>0.3μm顆粒數：≤5個。
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