[發(fā)明專利]采用劃磨方式去除IGBT用拋光片晶圓邊緣氧化膜的方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201110420554.3
• 申請日: 2011-12-15
• 公開（公告）號: CN102437043A
• 公開（公告）日: 2012-05-02
• 發(fā)明（設計）人: 劉振福;張宇;王瑤;李翔
• 申請（專利權）人: 天津中環(huán)領先材料技術有限公司
• 主分類號: H01L21/304
• 分類號: H01L21/304
• 代理公司: 天津中環(huán)專利商標代理有限公司 12105
• 代理人: 莫琪

1.一種采用劃磨方式去除IGBT用拋光片晶圓邊緣氧化膜的方法，其特征在于，制造專用劃磨式去邊機，將其應用于拋光片晶圓邊緣氧化膜處理過程，首先通過熱縮機在硅片背表面粘附卷裝塑料藍膜；然后根據硅片的不同規(guī)格，用所述劃磨式去邊機在硅片背表面粘附的塑料藍膜上劃出不同尺寸的圓形切痕，再沿切痕把需要腐蝕的環(huán)形圓形塑料藍膜撕掉；從而使不需要去除背封SiO₂膜的部分保護起來；最后將其置于HF蒸汽中或是HF溶液中，去除邊緣背封二氧化硅膜；所述方法包括如下步驟：?

步驟1、?把經過背損傷、背封之后的腐蝕片從片藍中取出，背封面朝下，正面朝上，將其依次粘附在卷裝塑料藍膜上；?

步驟2、?待熱縮機預熱后，將步驟1中所形成的粘附硅片的卷裝塑料藍膜通過熱縮機；

步驟3、?塑料藍膜通過熱縮機的加熱收縮，粘附在硅片背表面；

步驟4、?按照硅片的尺寸剪斷藍膜；

步驟5、?將背表面粘附藍膜的硅片正面朝下置于劃磨式去邊機的卡槽上，用真空吸盤固定好；

步驟6?、根據需要選擇背表面SiO₂膜的直徑寬度，在刀頭定位之后，下刀，劃藍膜；

步驟7?、待刀頭復位后，去真空，下片，撕掉邊緣的藍膜，留下圓形藍膜；

步驟8?、將背表面粘附藍膜的硅片置于充滿HF蒸汽的腔室或浸入HF溶液中1-5分鐘完全除去邊緣的SiO₂膜；

步驟10、用純水沖洗掉硅片表面殘留的HF后，將硅片置于60℃以上的溫水10分鐘；

步驟11、撕掉硅片背表面的硅片，用硅片清洗劑清洗硅片，甩干。

2.根據權利要求1所述采用劃磨方式去除IGBT用拋光片晶圓邊緣氧化膜的方法，其特征在于，所述劃磨式去邊機由支架（1）、機軸升降定位裝置（2）、機軸（3）、橫桿（4）、刀架（5）、刀頭（6）、真空吸盤（7）、搖柄（8）組成；機軸升降定位裝置（2）安裝在支架上平面；

機軸升降定位裝置（2）由滑梯形定位盤（21）、滑動升降卡頭（22）組成，滑梯形定位盤（21）中心孔中配合安裝機軸（3），機軸（3）的上部和滑動升降卡頭（22）通過螺釘固定；

滑動升降卡頭（22）在滑梯形定位盤（21）上轉動過程中沿滑道上升和下降的同時帶動機軸（3）上升或下降；

機軸（3）的下軸端固定橫桿（4），橫桿（4）的叉形開口上固定連接刀架（5）、刀架（5）上安裝刀頭（6），機軸（3）的上軸端固定搖柄（8）；

??真空吸盤（7）置于支架（1）的下平面；

??????當劃磨式去邊機處于準備工作時滑動升降卡頭（22）處于滑梯形定位盤（21）的最高處；

??????當劃磨式去邊機處于工作時滑動升降卡頭（22）處于滑梯形定位盤（21）的最底處；

??????通過機軸升降定位裝置（2）控制機軸（3）的軸向位置，進而通過機軸（3）控制橫桿（4）和刀架（5），刀架（5）在橫桿（4）的叉形開口上可水平調節(jié)位置，?轉動搖柄（8），機軸（3）帶動橫桿（4）、刀架（5）和刀頭（6）作圓周運動，刀頭（6）劃切硅片背表面粘附的塑料藍膜，刀架（5）上有螺紋調節(jié)帽（51）可上下調節(jié)刀頭（6）的上下位置；通過調節(jié)刀頭（6）位置來控制刀頭（5）切入深度。