[發明專利]像素結構及其制造方法

有效

• 申請號: 201110420522.3
• 申請日: 2011-12-15
• 公開（公告）號: CN102496601A
• 公開（公告）日: 2012-06-13
• 發明（設計）人: 劉光華;李懷安
• 申請（專利權）人: 華映視訊（吳江）有限公司;中華映管股份有限公司
• 主分類號: H01L21/77
• 分類號: H01L21/77;G02F1/1343;G02F1/1333;H01L27/02
• 代理公司: 上海漢聲知識產權代理有限公司 31236
• 代理人: 胡晶

1.一種像素結構的制造方法，其特征在于，包括下列步驟：

(a)?形成一切換晶體管于一基材上，該基材定義一晶體管區域以及一像素區域，該切換晶體管設置于該晶體管區域，其中該切換晶體管設有一第一柵極、一第一柵極絕緣層、一第一信道結構、一第一源極以及一第一漏極；

(b)?形成一第一介電層于該基材上，并且覆蓋該切換晶體管；

(c)?形成一連接導線于該第一介電層上，該連接導線設置于該晶體管區域的上方，該連接導線包括一第一接觸墊、電性連接該第一接觸墊的一第二柵極、以及電性連接該第二柵極的一第二接觸墊；

(d)?形成一驅動晶體管于該第一介電層上，使該驅動晶體管垂直堆棧于該切換晶體管的上方并且設置于該晶體管區域的上方，其中該驅動晶體管設有分別相對應該第一柵極、該第一柵極絕緣層、該第一信道結構、該第一源極以及該第一漏極的該第二柵極、一第二柵極絕緣層、一第二信道結構、一第二源極以及一第二漏極，使該第一接觸墊連接該第一漏極至該第二柵極；

(e)?形成一共享線于該第二柵極絕緣層上，使該共享線電性連接該第二源極，并且使一部分的該共享線與該第二接觸墊互相重迭配置以形成一電容器；以及

(f)?形成一像素電極，使該像素電極電性連接該第二漏極。

2.如權利要求1所述的制造方法，其特征在于，在步驟(a)中還包括下列步驟：

(a1)?形成該第一柵極于該基材上，該第一柵極連接一掃描線；

(a2)?形成該第一柵極絕緣層于該第一柵極以及該基材上；

(a3)?形成該第一信道結構于該第一柵極絕緣層上；以及

(a4)?形成該第一源極與該第一漏極于該第一信道結構上，以形成該切換晶體管，其中該第一源極連接一數據線，且該數據線與該掃瞄線互相交錯。

3.如權利要求1所述的制造方法，其特征在于，在步驟(b)之后，還包括步驟(b1)：蝕刻該第一介電層，以形成一第一介層孔于該第一介電層中，并且曝露一部分的該第一漏極，以使該第一接觸墊經由該第一介層孔電性連接該第一漏極。

4.如權利要求1所述的制造方法，其特征在于，在步驟(d)中還包括下列步驟：

(d1)?形成該第二柵極絕緣層于該連接導線上以及該第一介電層上；

(d2)?形成該第二信道結構于該第二柵極絕緣層上；以及

(d3)?形成該第二源極與該第二漏極于該第二信道結構上，以于該晶體管區域形成相對應于該切換晶體管的該驅動晶體管。

5.如權利要求1所述的制造方法，其特征在于，在步驟(e)之后，還包括步驟(f1)：形成一第二介電層于該第二柵極絕緣層上，并且該第二介電層覆蓋該共享線。

6.如權利要求5所述的制造方法，其特征在于，在步驟(f1)之后，還包括步驟(f2)：蝕刻該第二介電層，以形成一第二介層孔于該第二介電層中，并且曝露一部分的該第二漏極，使該像素電極經由該第二介層孔電性連接該第二漏極。

7.一種像素結構，其特征在于，包括：

一基材，用以定義一晶體管區域；

一切換晶體管，設置于該基材的該晶體管區域上，該切換晶體管設有一第一柵極、一第一柵極絕緣層、一第一信道結構、一第一源極以及一第一漏極；

一第一介電層，設置于該基材上，并且覆蓋該切換晶體管；

一連接導線，設置于該第一介電層上且位于該晶體管區域的上方，該連接導線具有一第一接觸墊、電性連接該第一接觸墊的一第二柵極、以及電性連接該第二柵極的一第二接觸墊；

一驅動晶體管，設置于該第一介電層上，該驅動晶體管垂直堆棧于該切換晶體管的上方并且設置于該晶體管區域的上方，該驅動晶體管設有分別相對應該第一柵極、該第一柵極絕緣層、該第一信道結構、該第一源極以及該第一漏極的該第二柵極、一第二柵極絕緣層、一第二信道結構、一第二源極以及一第二漏極，且該第一接觸墊電性連接該第一漏極至該第二柵極；

一電容器；以及

一像素電極，電極電性連接該第二漏極。

8.如權利要求7所述的像素結構，其特征在于，還包括一共享線，設置于該第二柵極絕緣層上，使該共享線電性連接該第二源極，并且使一部分的該共享線與該第二接觸墊互相重迭配置以形成該電容器。