[發明專利]聚偏氟乙烯膜或者聚氯乙烯膜表面改性方法

無效

• 申請號: 201110419682.6
• 申請日: 2011-12-15
• 公開（公告）號: CN102558595A
• 公開（公告）日: 2012-07-11
• 發明（設計）人: 陸茵;宋水均;韓玉;馬均治
• 申請（專利權）人: 寧波大學
• 主分類號: C08J7/18
• 分類號: C08J7/18;C08L27/16;C08L27/06
• 代理公司: 寧波奧圣專利代理事務所(普通合伙) 33226
• 代理人: 程曉明

1.聚偏氟乙烯膜或者聚氯乙烯膜表面改性方法，其特征在于包括以下步驟：

（1）真空低溫等離子體處理

將聚偏氟乙烯膜或者聚氯乙烯膜進行真空低溫等離子體處理，其中低溫等離子體為氬氣或者氯氣，處理功率為5～100W，處理時間為1～20min，反應真空度為2-100Pa；

（2）原子轉移自由基聚合反應

選擇甲醇與去離子水按體積比10～1:1～10混合后的溶液作為溶劑加入反應容器中，氯化亞銅或溴化亞銅作為催化劑，2，2’-聯吡啶或其衍生物作為配體，兩性離子磺基甜菜堿甲基丙烯酸甲酯或烯丙基聚乙二醇作為接枝單體，反應加入量為催化劑與配體按摩爾比1:0.5～4的比例加入反應容器中，聚偏氟乙烯膜或者聚氯乙烯膜與單體按摩爾比100～0.1:1比例加入反應容器中，再進行原子轉移自由基聚合反應，在氮氣氣氛或者氬氣氣氛的條件下，控制反應溫度為20～100℃，反應1～24h后，用去離子水反復清洗至膜表面沒有溶劑殘留，即得到表面改性的聚偏氟乙烯膜或者聚氯乙烯膜。

2.根據權利要求1所述的聚偏氟乙烯膜表面改性方法，其特征在于：步驟（1）中將聚偏氟乙烯膜置于質量百分數為1～20%的NaCl溶液中浸泡30～60min后晾干，再用氬氣或氯氣低溫等離子體處理。

3.根據權利要求1所述的聚偏氟乙烯膜表面改性方法，其特征在于：步驟（1）中將聚偏氟乙烯膜置于質量百分數為0.5-1%的NaOH溶液中浸泡30-60min后晾干，再用氯氣低溫等離子體處理。

4.根據權利要求1-3中任一項所述的聚偏氟乙烯膜或者聚氯乙烯膜表面改性方法，其特征在于：所述的低溫等離子體處理的等離子體反應室的真空度控制為9～12Pa，將射頻功率源預熱5～10min后，在射頻功率為20～100W的條件下處理10～15min，處理完后在真空室放置2～5小時待用。

5.根據權利要求4所述的聚偏氟乙烯膜或者聚氯乙烯膜表面改性方法，其特征在于：步驟（2）具體如下：將溶劑和潔凈的磁力攪拌轉子加入三口燒瓶中，將三口燒瓶置于攪拌器上，打開攪拌器的攪拌開關，將高純氮氣或氬氣通入三口燒瓶中，保持吹氣30～60min，然后往三口燒瓶中加入一定量配體2，2’-聯吡啶，單體磺基甜菜堿甲基丙烯酸甲酯或烯丙基聚乙二醇，攪拌至完全溶解，再加入一定量催化劑CuCl或CuBr粉末，攪拌至充分溶解，溶液呈紅棕色，然后將真空等離子體處理后的一定量的聚偏氟乙烯膜或者聚氯乙烯膜放入三口燒瓶中，溫度為20～100℃的條件下反應1～24h，反應結束后，停止吹氣，將膜取出，用甲醇和去離子水反復清洗4-6次，最后用去離子水反復清洗至膜表面沒有溶劑殘留，即得到表面改性的聚偏氟乙烯膜或者聚氯乙烯膜，其中催化劑與配體的摩爾比為1：1～2，聚偏氟乙烯膜或者聚氯乙烯膜以鏈段計與單體的摩爾比為1～5:1。