[發(fā)明專利]一種斜波發(fā)生電路

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201110419258.1
• 申請(qǐng)日: 2011-12-15
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN102412810A
• 公開(kāi)（公告）日: 2012-04-11
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 呂堅(jiān);周云;王璐霞;吳志明;何偉
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 電子科技大學(xué)
• 主分類號(hào): H03K4/50
• 分類號(hào): H03K4/50
• 代理公司: 成都華典專利事務(wù)所(普通合伙) 51223
• 代理人: 楊保剛;徐豐

1.?一種斜波發(fā)生電路，其特征在于：包括電容以及電容充電電路和電容放電電路，其中，電容的端電壓作為斜波輸出，?

所述電容充電電路由電流源陣列和連接在電流源陣列的輸出端和電容間的電容充電開(kāi)關(guān)S₀構(gòu)成，所述電流源陣列包括N個(gè)并聯(lián)的電流源，N個(gè)電流源中除一個(gè)以外的N-1個(gè)電流源分別對(duì)應(yīng)一個(gè)開(kāi)關(guān)；?

所述電容放電電路由電流鏡負(fù)載和連接在電流鏡負(fù)載和電容之間的電容放電開(kāi)關(guān)???????????????????????????????????????????????構(gòu)成，其中電容充電開(kāi)關(guān)S₀和電容放電開(kāi)關(guān)為互補(bǔ)開(kāi)關(guān)。

2.?根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種斜波發(fā)生電路，其特征在于：所述電流鏡負(fù)載包括一電流源、第一NMOS管和第二NMOS管，其中，第一NMOS管和第二NMOS管的柵極接在一起，源極接地，電流源的輸出連接在第二NMOS管的漏極和兩個(gè)NMOS管的柵極上，第一NMOS管的漏極與電容放電開(kāi)關(guān)相連。

3.?根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種斜波發(fā)生電路，其特征在于：所述電流源陣列中的電流源為六個(gè)，且電流的大小分別為I、I、2I、4I、8I和16I。

4.?根據(jù)權(quán)利要求1或2或3所述的一種斜波發(fā)生電路，其特征在于：所述電流源陣列的輸出端還通過(guò)一開(kāi)關(guān)接地，所述開(kāi)關(guān)與電容充電開(kāi)關(guān)S₀為互補(bǔ)開(kāi)關(guān)。