[發明專利]有源矩陣有機發光顯示器的陣列基板制造方法

有效

• 申請號: 201110419047.8
• 申請日: 2011-12-15
• 公開（公告）號: CN102427061A
• 公開（公告）日: 2012-04-25
• 發明（設計）人: 王磊;邱勇;黃秀頎;李建文;費國東
• 申請（專利權）人: 昆山工研院新型平板顯示技術中心有限公司
• 主分類號: H01L21/77
• 分類號: H01L21/77
• 代理公司: 上海申匯專利代理有限公司 31001
• 代理人: 金碎平

技術領域

本發明涉及一種陣列基板制造方法，尤其涉及一種有源矩陣有機發光顯示器的陣列基板制造方法。

背景技術

有機發光顯示器件（OLED?）是主動發光器件。相比現在的主流平板顯示技術薄膜晶體管液晶顯示器（TFT?-LCD?)?,?OLED?具有高對比度，廣視角，低功耗，體積更薄等優點，有望成為繼LCD之后的下一代平板顯示技術，是目前平板顯示技術中受到關注最多的技術之一。

圖1是常規有源矩陣有機發光顯示器的截面圖。在制造具有上述結構的有機發光顯示器的方法中，通過一系列半導體制造工藝，在襯底10上形成具有緩沖層(圖未示)、半導體11、源極/漏極區域14-1和14-2、柵極絕緣層12、柵極電極13、層間絕緣層15、通孔16-1和16-2、及源極/漏極電極17-1和17-2的TFT。

接著在襯底10上TFT上方沉積無機層18-1（優選氮化硅層）作為鈍化層18來覆蓋源極/漏極電極17-1、17-2。當在無機層18-1上形成光致抗蝕劑圖案之后，通過使用光致抗蝕劑圖案作為掩膜的蝕刻工藝，形成暴露源極/漏極電極17-2的接觸孔或通孔19-1。然后通過氧等離子體工藝，光致抗蝕劑剝離工藝或其他類似工藝除去光致抗蝕劑圖案。

接下來，當在接觸孔19-1上形成光敏性或者蝕刻型第一有機平坦化層18-2和形成光致抗蝕劑圖案之后，對光致抗蝕劑圖案進行另一個掩膜蝕刻工藝，因此在第一有機平坦化層18-2中形成接觸孔19。

接著，當在襯底10的整個表面上形成導電材料之后，隨同曝光、顯影和蝕刻工藝進行典型的光刻工藝，由此形成像素電極20，其通過接觸孔19連接到源極/漏極17-2上。

然后在襯底10的整個表面上形成第二有機平坦化層21，從而覆蓋像素電極20，且形成開口22來暴露像素電極20；最后，通過在像素電極20上形成有機層(圖未示)和上電極(圖未示)制造出有源矩陣有機發光顯示器。

現有的有源矩陣有機發光顯示器的陣列基板制造方法，有機平坦化層18-2和平坦化層21分開來做，需要兩次掩膜工藝。

發明內容

本發明所要解決的技術問題是提供一種有源矩陣有機發光顯示器的陣列基板制造方法，能夠一起完成平坦化層制作，達到減少一道掩膜刻蝕工藝的目的，簡化生產流程。

本發明為解決上述技術問題而采用的技術方案是提供一種有源矩陣有機發光顯示器的陣列基板制造方法，包括如下步驟：提供一襯底；在襯底上形成緩沖層、半導體、源極區域、漏極區域和柵極絕緣層；在上述襯底上繼續形成柵極電極、層間絕緣層、源極電極及漏極電極，所述源極電極通過通孔和源極區域相連，所述漏極電極通過通孔和漏極區域相連；接著在上述襯底上方繼續沉積鈍化層覆蓋源極電極及漏極電極；在鈍化層上形成光刻膠層進行蝕刻，形成暴露漏極電極的第一接觸孔并去除剩余光刻膠層；接下來繼續在第一接觸孔上形成光敏性或者蝕刻型有機平坦化層，對有機平坦化層進行曝光，曝光掩膜為區域透光式掩膜，第一接觸孔的位置為全曝光，形成第二接觸孔，所述的第二接觸孔和第一接觸孔相貫通，像素電極區域A為半曝光，其余區域為不曝光；最后，在襯底的整個表面形成像素層，利用曝光、顯影和蝕刻方式形成像素電極，所述像素電極通過第一接觸孔、第二接觸孔連接到漏極電極上。

上述的有源矩陣有機發光顯示器的陣列基板制造方法，其中，所述有機平坦化層曝光前的厚度為2um～6um。

上述的有源矩陣有機發光顯示器的陣列基板制造方法，其中，所述鈍化層為氮化硅層。

上述的有源矩陣有機發光顯示器的陣列基板制造方法，其中，所述襯底為玻璃基板。

本發明對比現有技術有如下的有益效果：本發明提供的有源矩陣有機發光顯示器的陣列基板制造方法，將現有的兩次平坦化工藝減少為一次平坦化層工藝，減少了一次掩膜工藝，可有效降低成本。

附圖說明

圖1為常規有源矩陣有機發光顯示器的截面示意圖；

圖2為本發明形成有源矩陣TFT截面示意圖；

圖3為本發明無機鈍化層工藝截面示意圖；

圖4為本發明有機平坦化層工藝涂布后截面示意圖；

圖5為本發明有機平坦化層曝光顯影后截面示意圖；

圖6為本發明像素電極工藝后截面示意圖。

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圖中：

10?襯底??????????????????11?半導體層???????????12?柵極絕緣層

13?柵極電極?????????????14-1?源極區域?????????14-2?漏極區域