[發明專利]一種選擇性發射結晶體硅太陽能電池的制備方法

無效

• 申請號: 201110418857.1
• 申請日: 2011-12-14
• 公開（公告）號: CN102544198A
• 公開（公告）日: 2012-07-04
• 發明（設計）人: 孫良欣;張賞;郭育林
• 申請（專利權）人: 青島吉陽新能源有限公司
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18
• 代理公司: 北京市商泰律師事務所 11255
• 代理人: 毛燕生

1.一種選擇性發射結晶體硅太陽能電池的制備方法，其特征是：單步高濃度摻雜擴散，然后采用印刷工藝在電極區域印刷抗腐蝕漿料，非電極區域經過化學腐蝕實現輕摻雜的發射結，再除去抗腐蝕阻擋層，最后采用常規太陽能制備方法制得選擇性發射結晶體硅太陽能電池。

2.根據權利要求1所述的一種選擇性發射結晶體硅太陽能電池制備方法，其特征是含有以下步驟：

(1)高濃度摻雜擴散：以POCl3為液態源，采用單步擴散法對硅片進行P重擴散，制備PN結；

(2)掩膜漿料印刷：在P中擴散面電極區域印刷抗腐蝕掩膜漿料，阻擋化學腐蝕液對電極接觸區域的腐蝕；

(3)選擇性發射結的腐蝕：利用化學腐蝕液對非印刷區域進行腐蝕，實現受光的區域輕摻雜；

(4)抗腐蝕掩膜漿料的清洗：采用堿溶液溶解抗腐蝕掩膜漿料，同時去除腐蝕過程中產生的多孔硅；

(5)選擇性發射結太陽能電池的制備：在完成上述步驟的基礎上，采用常規太陽能工藝制備選擇性發射結太陽能電池。

3.根據權利要求2所述的一種選擇性發射結晶體硅太陽能電池的制備方法，其特征是：步驟(1)中的發射結方塊電阻為45-50Ω。

4.根據權利要求2所述的一種選擇性發射結晶體硅太陽能電池的制備方法，其特征是：步驟(2)中的抗腐蝕漿料為一種油墨，印刷后可直接進行化學腐蝕。

5.根據權利要求2所述的一種選擇性發射結晶體硅太陽能電池的制備方法，其特征是：步驟(3)中的化學腐蝕液為亞硝酸鈉與氫氟酸的混合溶液，相比于其他硝酸與氫氟酸的混合液，腐蝕速率及腐蝕方阻的均與性更易于控制；

NaNO2∶HF∶H2O＝1～2∶2～5∶30，腐蝕后方塊電阻為90～120Ω。

6.根據權利要求2所述的一種選擇性發射結晶體硅太陽能電池的制備方法，其特征是：步驟(4)中堿溶液加入了乙二醇乙醚，增強了對掩膜漿料的溶解效果，同時抑制了堿溶液對硅片PN結的腐蝕；

氫氧化鉀濃度為1～5％，乙二醇乙醚濃度為5～10％。

7.根據權利要求2所述的一種選擇性發射結晶體硅太陽能電池的制備方法，其特征是：步驟(5)的常規工藝包括：去PSG，PECVD?SiNx，印刷背電極、背電場、正電極，燒結，電性能測試。

8.根據權利要求2所述的一種選擇性發射結晶體硅太陽能電池的制備方法，其特征是：步驟(3)的化學腐蝕液為氫氟酸和亞硝酸鹽混合液，重量比例為1∶1至10∶1。

9.根據權利要求2所述的一種選擇性發射結晶體硅太陽能電池的制備方法，其特征是：步驟(4)的堿溶液溶為氫氧化鉀、氫氧化鈉或氨水。