[發明專利]一種二級反射器的制作方法

有效

• 申請號: 201110418670.1
• 申請日: 2011-12-14
• 公開（公告）號: CN102568976A
• 公開（公告）日: 2012-07-11
• 發明（設計）人: 王文輝;楊忠鈺;施林偉;李維;鄧江東
• 申請（專利權）人: 深圳市盛喜路科技有限公司
• 主分類號: H01J9/00
• 分類號: H01J9/00;B81C1/00
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種二級反射器的制作方法，其包括如下步驟：

S100：準備兩個絕緣套筒，在所述絕緣套筒上其電極的引出位置處，進行打孔，并對其內壁和端面進行研磨和拋光；

S101：將該絕緣套筒徹底清洗；

S102：在上述絕緣套筒的內壁上制作出金屬電極陣列，并通過小孔將電極引出至絕緣套筒的外側；

S103：制作兩個反射電極；

S104：將其中一個反射電極組裝在一個所述絕緣套筒的一端，將另一個所述反射電極組裝在所述兩個絕緣套筒之間；

S105：完成二級反射器的組裝。

2.根據權利要求1所述的一種二級反射器的制作方法，其特征在于：所述步驟S102中的制作所述內壁電極的步驟包括：

S1021：將上述絕緣套筒、電阻絲和待蒸發的金屬放置在一個真空腔內；

S1022：加熱該電阻絲，使得待蒸發的金屬熔化蒸發，金屬蒸汽到達絕緣套筒內壁后淀積成膜；

S1023：在所述絕緣套筒的內壁噴涂一層光刻膠，并將其烘干；

S1024：使用曝光系統將需要曝光的光刻膠曝光；

S1025：將所述光刻膠顯影，制作出電極圖形，并保留被所述光刻膠覆蓋的金屬，移出未被所述光刻膠覆蓋的金屬；

S1026：將光刻完畢后的絕緣套筒內放入腐蝕液腐蝕金屬，制作出環狀電極；

S1027：將絕緣套筒內表面的光刻膠除去；

S1028：完成內壁電極的制作。

3.根據權利要求2所述的一種二級反射器的制作方法，其特征在于：所述步驟S1024中的曝光系統包括線性位移調節架、聚焦透鏡和設置在所述調節架上的激光器，所述絕緣套筒的端面上設置有套管端面位置傳感器；

曝光時，以所述絕緣套筒的端面作為參照面，在所述套管端面位置傳感器作用下對激光器發出的激光束照射位置進行實時校準定位，所述激光束被聚焦透鏡聚焦在所述絕緣套筒內壁上，通過旋轉所述絕緣套筒，曝光需要曝光的光刻膠。

4.根據權利要求2所述的一種二級反射器的制作方法，其特征在于：在金屬蒸發時，上下移動所述絕緣套筒，以使其小孔側壁上也有良好的金屬覆蓋。

5.根據權利要求2所述的一種二級反射器的制作方法，其特征在于：所述絕緣套筒內壁后淀積成的金屬薄膜為一種金屬或多種金屬的組合。

6.根據權利要求5所述的一種二級反射器的制作方法，其特征在于：所述金屬薄膜為金和鉻。

7.根據權利要求2所述的一種二級反射器的制作方法，其特征在于：所述步驟S1026中還包括：將絕緣套筒內未被金屬覆蓋的區域進行氧化硅的腐蝕，以制作凹槽。

8.根據權利要求1所述的一種二級反射器的制作方法，其特征在于：所述步驟S103中的制作所述反射電極的步驟包括：

S1031：選擇高平整度的硅片，其中該硅片厚度變化小于1微米，其直徑稍大于所述絕緣套筒的外徑；

S1032：將所述硅片的雙面淀積低應力的氮化硅薄膜；

S1033：將所述硅片一面的氮化硅薄膜進行柵網結構圖形化，對其另一面的氮化硅薄膜進行窗口結構圖形化；

S1034：將所述硅片放入氫氧化鉀中腐蝕，直至氮化硅電極柵網結構完全懸空，并所述硅片進行清洗；

S1035：清洗后，在氮化硅電極柵網結構上淀積金屬薄膜；

S1036：完成所述發射電極的制作。

9.根據權利要求1所述的一種二級反射器的制作方法，其特征在于：所述步驟S100中的制作所述的絕緣套筒由具有低熱膨脹系數的材料構成，如熔融石英玻璃，玻璃或陶瓷。

10.根據權利要求1所述的一種二級反射器的制作方法，其特征在于：所述步驟S100中的制作所述絕緣套筒的打孔方法可為超聲打孔，激光打孔，激光水刀打孔方法及其組合。