[發(fā)明專利]半導體器件

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201110418419.5
• 申請日: 2005-09-13
• 公開（公告）號: CN102544027A
• 公開（公告）日: 2012-07-04
• 發(fā)明（設計）人: 檜垣欣成;坂倉真之;山崎舜平
• 申請（專利權）人: 株式會社半導體能源研究所
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L29/786;H01L29/45
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司 31100
• 代理人: 楊潔

1.一種半導體器件，包括：

基板上的薄膜晶體管；

在所述薄膜晶體管之上的第一導電層，所述第一導電層與所述薄膜晶體管的半導體薄膜相接觸；

在所述第一導電層上的第二導電層；以及

在所述薄膜晶體管之上的透明導電膜，

其中所述透明導電膜與從所述第二導電層的端部延伸出的所述第一導電層的一部分相接觸。

2.如權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，所述第二導電層的表面被絕緣膜覆蓋。

3.如權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，所述第一導電層和所述第二導電層在同一濺射裝置中連續(xù)地形成。

4.如權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，還包括：

包括所述半導體膜之上的接觸孔的絕緣層；

其中，所述第一導電層形成在所述絕緣層之上，并且通過所述接觸孔與所述半導體膜相接觸。

5.一種半導體器件，包括：

基板上的薄膜晶體管，所述薄膜晶體管包括半導體膜、包括第一導電層和形成在所述第一導電層上的第二導電層的柵極電極，以及置于所述半導體膜和所述柵極電極之間的柵絕緣膜；

在所述薄膜晶體管之上的第三導電層，所述第三導電層與所述半導體膜相接觸；

在所述第三導電層上的第四導電層；以及

在所述薄膜晶體管之上的透明導電膜，

其中所述第三導電層具有從所述第四導電層的端部突出來的一部分，

其中所述透明導電膜與從所述第四導電層的端部突出來的第三導電層的所述部分相接觸，

其中所述第三導電層包括鈦或鉬，

其中所述第四導電層包括鋁，以及

其中所述第四導電層不與所述透明導電膜相接觸。

6.一種半導體器件，包括：

基板上的薄膜晶體管，所述薄膜晶體管包括半導體膜、包括第一導電層和形成在所述第一導電層上的第二導電層的柵極電極，以及置于所述半導體膜和所述柵極電極之間的柵絕緣膜；

在所述薄膜晶體管之上的第三導電層，所述第三導電層與所述半導體膜相接觸；

在所述第三導電層上的第四導電層；以及

在所述薄膜晶體管之上的透明導電膜，

其中所述透明導電膜與所述第三導電層側面部分相接觸，

其中所述第三導電層的所述側面部分具有比所述第四導電層的側面部分更小的錐角，

其中所述第三導電層包括鈦或鉬，

其中所述第四導電層包括鋁，以及

其中所述第四導電層不與所述透明導電膜相接觸。

7.一種半導體器件，包括：

基板上的薄膜晶體管，所述薄膜晶體管包括半導體膜、包括第一導電層和形成在所述第一導電層上的第二導電層的柵極電極，以及置于所述半導體膜和所述柵極電極之間的柵絕緣膜；

在所述薄膜晶體管之上的第三導電層，所述第三導電層與所述半導體膜相接觸；

在所述第三導電層上的第四導電層；以及

在所述薄膜晶體管之上的透明導電膜，

其中所述透明導電膜與所述第三導電層側面部分相接觸，

其中所述第三導電層的所述側面部分具有比所述第四導電層的側面部分更大的錐角，

其中所述第三導電層包括鈦或鉬，

其中所述第四導電層包括鋁，以及

其中所述第四導電層不與所述透明導電膜相接觸。

8.一種半導體器件，包括：

基板上的薄膜晶體管，所述薄膜晶體管包括半導體膜、包括第一導電層和形成在所述第一導電層上的第二導電層的柵極電極，以及置于所述半導體膜和所述柵極電極之間的柵絕緣膜；

在所述薄膜晶體管之上的第三導電層，所述第三導電層與所述半導體膜相接觸；

在所述第三導電層上的第四導電層；以及

在所述薄膜晶體管之上的透明導電膜，

其中所述透明導電膜與所述第三導電層側面部分相接觸，

其中所述第三導電層的所述側面部分與所述第四導電層的側面部分具有相同的錐角，

其中所述第三導電層包括鈦或鉬，

其中所述第四導電層包括鋁，以及

其中所述第四導電層不與所述透明導電膜相接觸。