[發明專利]氣體放電器件介質保護膜、其成膜材料及包括其的等離子顯示屏

無效

• 申請號: 201110418397.2
• 申請日: 2011-12-14
• 公開（公告）號: CN102496550A
• 公開（公告）日: 2012-06-13
• 發明（設計）人: 嚴群;邢芳麗;張鑫
• 申請（專利權）人: 四川虹歐顯示器件有限公司
• 主分類號: H01J11/40
• 分類號: H01J11/40;H01J11/10
• 代理公司: 北京康信知識產權代理有限責任公司 11240
• 代理人: 吳貴明;余剛

1.一種氣體放電器件介質保護膜的成膜材料，其特征在于，由MgO和摻雜物質MO組成，其中，摻雜元素M與Mg元素的摩爾比為x∶(1-x)，0.05≤x≤0.5，所述摻雜元素的離子半徑與Mg²⁺半徑相當。

2.根據權利要求1所述的成膜材料，其特征在于，所述成膜材料是固溶體氧化物M_xMg_1-xO。

3.根據權利要求1所述的成膜材料，其特征在于，所述摻雜元素為Ca、Sc、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Ge、Sr、Y、Zr、Nb、Mo、Tc、Ru、Rh、Pd、Ag、Cd、In、Sn、Sb、Te、Ba、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu、Hf、Ta、W、Pt、Au、Tl、Bi、Po、Np組成的組中的一種或多種。

4.根據權利要求1所述的成膜材料，其特征在于，所述摻雜元素為Ca、Sr、Ba、Ce、Zn組成的組中的一種或多種。

5.根據權利要求1所述的成膜材料，其特征在于，所述摻雜元素為Ca和/或Ce。

6.根據權利要求5所述的成膜材料，其特征在于，所述摻雜物質為摩爾百分含量為10％-50％的CaO或摩爾百分含量為5％-20％的CeO₂。

7.一種氣體放電器件介質保護膜，其特征在于，將權利要求1-6中任一項所述的成膜材料通過電子束蒸鍍、離子鍍、濺射或化學氣相沉積法形成所述氣體放電器件介質保護膜。

8.根據權利要求7所述的介質保護膜，其特征在于，所述氣體放電器件介質保護膜的厚度為10nm～10000nm。

9.根據權利要求8所述的介質保護膜，其特征在于，所述氣體放電器件介質保護膜的厚度為500nm～1000nm。

10.一種等離子顯示屏，包括：

上基板；

PDP放電電極，沿所述上基板下表面延伸；

介質層、介質保護膜依次覆蓋在所述上基板及所述PDP放電電極上；以及

下基板，其上設置有與所述PDP放電電極垂直設置的尋址電極、與所述尋址電極平行設置的障壁和熒光粉，所述上基板或下基板的邊緣涂覆有低熔點玻璃作為封接材料，所述下基板與所述上基板相對封接形成多個放電單元；

其特征在于，所述介質保護膜是如權利要求7-9中任一項所述的介質保護膜。

11.根據權利要求10所述的氣體放電器件，其特征在于，所述放電單元內的放電氣體由體積百分含量為15％-100％的Xe以及余量的Ne、Ar、Kr、N₂組成的組中的一種或多種。