[發(fā)明專利]抗輻照加固的SOI結(jié)構(gòu)及其制作方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201110418323.9
• 申請日: 2011-12-14
• 公開（公告）號: CN102437087A
• 公開（公告）日: 2012-05-02
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 呂蔭學(xué);畢津順;羅家俊;韓鄭生;葉甜春
• 申請（專利權(quán)）人: 中國科學(xué)院微電子研究所
• 主分類號: H01L21/762
• 分類號: H01L21/762
• 代理公司: 北京漢昊知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11370
• 代理人: 朱海波

1.一種加固SOI結(jié)構(gòu)抗輻照性能的方法，該方法包括以下步驟：

a)提供兩個晶片，在至少一個所述晶片的表面形成絕緣氧化層；

b)對所述絕緣氧化層進行高能粒子注入；

c)將兩個所述晶片通過所述絕緣氧化層進行鍵合；

d)對鍵合后的兩個晶片之一進行減薄，形成SOI結(jié)構(gòu)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述兩個晶片的材料為單晶硅。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中，在至少一個所述晶片的表面形成絕緣氧化層包括對至少一個所述晶片的表面進行熱氧化，以形成SiO₂層。

4.根據(jù)權(quán)利要求1至3所述的方法，其中，所述步驟b)包括：

利用輻照的方式，對所述絕緣氧化層進行高能粒子注入。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其中：

所述輻照包括質(zhì)子、中子、γ射線輻照的一種。

6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其中：

所述高能粒子注入的劑量范圍為5×10¹⁶cm^-2至5×10¹⁷cm^-2，所述高能粒子注入的能量范圍為3MeV至10MeV。

7.根據(jù)權(quán)利要求1-6所述的方法制備的SOI結(jié)構(gòu)。