[發(fā)明專利]一種MOS管的自適應(yīng)串聯(lián)電路

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201110418093.6
• 申請(qǐng)日: 2011-12-15
• 公開（公告）號(hào): CN102497088A
• 公開（公告）日: 2012-06-13
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 邁克爾·格林;陳君
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 杭州矽力杰半導(dǎo)體技術(shù)有限公司
• 主分類號(hào): H02M1/088
• 分類號(hào): H02M1/088
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• 代理人: 暫無(wú)信息

1.一種MOS管的自適應(yīng)串聯(lián)電路，其特征在于，包括一個(gè)主控MOS管和n個(gè)自適應(yīng)MOS管，關(guān)斷箝位電路和n個(gè)導(dǎo)通箝位電路，n≥1，其中；

所述主控MOS管的源極為所述自適應(yīng)串聯(lián)電路的第一端；

所述主控MOS管的漏極與所述n個(gè)自適應(yīng)MOS管依次串聯(lián)，所述第n個(gè)自適應(yīng)MOS管的漏極為所述自適應(yīng)串聯(lián)電路的第二端；

所述主控MOS管的柵極為所述自適應(yīng)串聯(lián)電路的控制端；

所述關(guān)斷箝位電路分別與所述n個(gè)自適應(yīng)MOS管的柵極連接，并且具有與所述主控MOS管和所述n個(gè)自適應(yīng)MOS管相對(duì)應(yīng)的(n+1)個(gè)關(guān)斷箝位電壓值，所述關(guān)斷箝位電壓值不大于對(duì)應(yīng)的自適應(yīng)MOS管和所述主控MOS管的額定柵漏電壓；

所述n個(gè)導(dǎo)通箝位電路分別連接至對(duì)應(yīng)的所述自適應(yīng)MOS管的柵極，所述n個(gè)導(dǎo)通箝位電路具有n個(gè)導(dǎo)通箝位電壓值，所述導(dǎo)通箝位電壓值不小于對(duì)應(yīng)的自適應(yīng)MOS管的導(dǎo)通電壓閾值；

當(dāng)所述主控MOS管和所述自適應(yīng)MOS管處于關(guān)斷狀態(tài)，并且主控MOS管和n個(gè)自適應(yīng)MOS管的柵極和漏極之間電壓大于其關(guān)斷箝位電壓值時(shí)，所述關(guān)斷箝位電路將所述主控MOS管和n個(gè)自適應(yīng)MOS管的柵極和漏極之間電壓箝位至對(duì)應(yīng)的關(guān)斷箝位電壓值，從而保證所述主控MOS管和n個(gè)自適應(yīng)MOS管的柵極和漏極之間電壓不高于其額定柵漏電壓；

當(dāng)所述自適應(yīng)MOS管和所述主控MOS管導(dǎo)通時(shí)，所述導(dǎo)通箝位電路將所述自適應(yīng)MOS管的柵極電壓箝位至對(duì)應(yīng)的導(dǎo)通箝位電壓值。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的MOS管的自適應(yīng)串聯(lián)電路，其特征在于，還包括連接至對(duì)應(yīng)的所述自適應(yīng)MOS管的柵極和源極之間的n個(gè)柵源極箝位電路，所述n個(gè)柵源極箝位電路具有n個(gè)柵源極箝位電壓值，當(dāng)所述自適應(yīng)MOS管和所述主控MOS管導(dǎo)通時(shí)，所述柵源極箝位電路將所述自適應(yīng)MOS管的柵極與源極之間的電壓箝位在對(duì)應(yīng)的所述柵源極箝位電壓值；所述柵源極箝位電壓值不大于對(duì)應(yīng)的所述自適應(yīng)MOS管的額定柵源電壓。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的MOS管的自適應(yīng)串聯(lián)電路，其特征在于：所述自適應(yīng)MOS管和主控MOS管為N型MOS管；

所述MOS管的自適應(yīng)串聯(lián)電路的第二端為所述MOS管的自適應(yīng)串聯(lián)電路的輸入端，以接收一輸入電壓；

所述MOS管的自適應(yīng)串聯(lián)電路的第一端為所述MOS管的自適應(yīng)串聯(lián)電路的輸出端，以產(chǎn)生一輸出電壓；

所述MOS管的自適應(yīng)串聯(lián)電路的控制端接收一控制信號(hào)，以依次導(dǎo)通和關(guān)斷所述主控MOS管和所述自適應(yīng)MOS管；

所述關(guān)斷箝位電路的第一端連接至所述自適應(yīng)串聯(lián)電路的第二端；

所述關(guān)斷箝位電路的第二端連接至地；

所述導(dǎo)通箝位電路包括第一二極管，所述第一二極管的陰極連接至其對(duì)應(yīng)的自適應(yīng)MOS管的柵極，陽(yáng)極連接至一數(shù)值為所述主控MOS管的額定柵源電壓的電壓源。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的MOS管的自適應(yīng)串聯(lián)電路，其特征在于：所述自適應(yīng)MOS管和主控MOS管為N型MOS管；

所述柵源極箝位電路包括第一齊納二極管；所述第一齊納二極管的陽(yáng)極連接至對(duì)應(yīng)的自適應(yīng)MOS管的源極，陰極連接至對(duì)應(yīng)的自適應(yīng)MOS管的柵極。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的MOS管的自適應(yīng)串聯(lián)電路，其特征在于：所述自適應(yīng)MOS管和主控MOS管為P型MOS管；

所述MOS管的自適應(yīng)串聯(lián)電路的第一端為所述MOS管的自適應(yīng)串聯(lián)電路的輸入端，以接收一輸入電壓；

所述MOS管的自適應(yīng)串聯(lián)電路的第二端為所述MOS管的自適應(yīng)串聯(lián)電路的輸出端，以產(chǎn)生一輸出電壓；

所述MOS管的自適應(yīng)串聯(lián)電路的控制端接收一控制信號(hào)，以依次導(dǎo)通和關(guān)斷所述主控MOS管和所述自適應(yīng)MOS管；

所述關(guān)斷箝位電路的第一端連接至所述自適應(yīng)串聯(lián)電路的第一端所連接電路的最高電位；

所述關(guān)斷箝位電路的第二端連接至所述自適應(yīng)串聯(lián)電路的第二端；

所述導(dǎo)通箝位電路包括第二二極管，所述第二二極管的陽(yáng)極連接至其對(duì)應(yīng)的自適應(yīng)MOS管的柵極，陰極連接至一數(shù)值為所述自適應(yīng)串聯(lián)電路的第一端所連接電路的最高電位與所述主控MOS管的額定柵源電壓的差值的電壓源。

6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的MOS管的自適應(yīng)串聯(lián)電路，其特征在于：所述自適應(yīng)MOS管和主控MOS管為P型MOS管；

所述柵源極箝位電路包括第二齊納二極管；所述第二齊納二極管的陽(yáng)極連接至對(duì)應(yīng)的自適應(yīng)MOS管的柵極，陰極連接至對(duì)應(yīng)的自適應(yīng)MOS管的源極。