[發明專利]溝道刻蝕型薄膜晶體管及其制造方法

無效

• 申請號: 201110418044.2
• 申請日: 2011-12-15
• 公開（公告）號: CN102569414A
• 公開（公告）日: 2012-07-11
• 發明（設計）人: 柳沼誠一郎;巖崎達哉;林享;云見日出也;渡邊昌也
• 申請（專利權）人: 佳能株式會社
• 主分類號: H01L29/786
• 分類號: H01L29/786;H01L29/10;H01L29/26
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038
• 代理人: 歐陽帆

1.一種溝道刻蝕型薄膜晶體管，在襯底上具有柵極電極、柵極絕緣層、由氧化物半導體制成的溝道層、源極電極和漏極電極，

所述溝道層通過犧牲層與所述源極電極和所述漏極電極電連接，

所述犧牲層由包含In、Zn和Ga的氧化物制成，所述犧牲層的刻蝕速率比所述溝道層的刻蝕速率高，以及

所述犧牲層的電阻率不大于3.38×10⁷Ωcm。

2.根據權利要求1所述的溝道刻蝕型薄膜晶體管，其中所述犧牲層的刻蝕速率與所述溝道層的刻蝕速率的比不小于2。

3.根據權利要求1所述的溝道刻蝕型薄膜晶體管，其中所述犧牲層的膜厚不少于5nm并且不多于1000nm。

4.根據權利要求1所述的溝道刻蝕型薄膜晶體管，其中所述溝道層由包含選自In、Zn和Ga中的至少一種的氧化物制成。

5.根據權利要求1所述的溝道刻蝕型薄膜晶體管，其中所述溝道層和所述犧牲層具有相同的成分。

6.一種制造溝道刻蝕型薄膜晶體管的方法，所述方法包括順序地執行的如下步驟：

在襯底上形成柵極電極；

在所述柵極電極上形成柵極絕緣層；

在所述柵極絕緣層上形成由氧化物半導體制成的溝道層；

在所述溝道層上形成由包含In、Zn和Ga的氧化物制成的犧牲層，所述犧牲層表現出比所述溝道層的刻蝕速率大的刻蝕速率以及不大于3.38×10⁷Ωcm的電阻率；

在所述犧牲層上形成漏極電極和源極電極；以及

利用濕法刻蝕去除在所述漏極電極和所述源極電極之間露出的所述犧牲層，以便露出所述溝道層。

7.一種制造溝道刻蝕型薄膜晶體管的方法，所述方法包括順序地執行的如下步驟：

在襯底上形成由氧化物半導體制成的溝道層；

在所述溝道層上形成由包含In、Zn和Ga的氧化物制成的犧牲層，所述犧牲層表現出比所述溝道層的刻蝕速率大的刻蝕速率；

在所述犧牲層上形成漏極電極和源極電極；

利用濕法刻蝕去除在所述漏極電極和所述源極電極之間露出的所述犧牲層，以便露出所述溝道層；

在所述漏極電極、所述源極電極和所述溝道層上形成柵極絕緣層；以及

在所述柵極絕緣層上形成柵極電極。