[發明專利]一種用于相變存儲器的快速數據讀取電路

有效

• 申請號: 201110417914.4
• 申請日: 2011-12-14
• 公開（公告）號: CN103165179A
• 公開（公告）日: 2013-06-19
• 發明（設計）人: 周忠玲;洪紅維;黃崇禮
• 申請（專利權）人: 北京時代全芯科技有限公司
• 主分類號: G11C11/56
• 分類號: G11C11/56;G11C16/26
• 代理公司: 北京清亦華知識產權代理事務所(普通合伙) 11201
• 代理人: 張大威

1.一種用于相變存儲器的快速數據讀取電路，其特征在于，包括：

存儲陣列，所述存儲陣列具有m行n列相變存儲單元，所述相變存儲單元包括晶體管(14)和與所述晶體管串聯的相變材料(12)，所述m、n為正整數；

固定電阻，所述固定電阻的數量為p，所述每一個固定電阻通過一個第一開關(S22)與h列相變存儲單元相連；

緩沖器(15)，所述緩沖器(15)的數量為p，所述每一個緩沖器(15)通過一個第二開關(S21)與h列相變存儲單元相連，所述p、h為正整數且p×h＝n。

2.如權利要求1所述的用于相變存儲器的快速數據讀取電路，其特征在于，所述固定電阻的阻值R_f1為所述R_h為相變材料高阻狀態時的電阻值，所述R_l為相變材料低阻狀態時的電阻值。

3.如權利要求1所述的用于相變存儲器的快速數據讀取電路，其特征在于，還包括與所述固定電阻數量相同的可變電阻，所述每一個固定電阻串聯有一個可變電阻。

4.如權利要求3所述的用于相變存儲器的快速數據讀取電路，其特征在于，所述可變電阻的目標電阻值ΔR為其中ΔR_h為相變材料高阻狀態時的電阻變化值，ΔR_l為相變材料低阻狀態時的電阻變化值。

5.如權利要求1、3、4之一所述的用于相變存儲器的快速數據讀取電路，其特征在于，還包括電阻變化檢測電路，所述電阻變化檢測電路用于檢測可變電阻的目標電阻值并控制實現可變電阻的實際電阻值，所述電阻變化檢測電路包括：

第一比較器(61)，所述第一比較器(61)用于檢測所述相變材料高阻狀態時的電阻變化值，并將電阻變化值轉換成電壓信號ΔV_h；

第二比較器(62)，所述第二比較器(62)用于檢測所述相變材料低阻狀態時的電阻變化值，并將電阻變化值轉換成電壓信號ΔV_l；

加法器(63)，所述加法器(63)將電壓信號ΔV_h和ΔV_l相加并轉換成可變電阻的目標電阻值

電阻陣列(66)，所述電阻陣列(66)包括電阻R_x，所述電阻R_x并聯有由數字位C<x>控制的開關，通過數字位C<x>控制開關的合上與打開，控制可變電阻的實際電阻值R_c，所述k為正整數，所述x＝1，2，......，k；

第三比較器(64)，所述第三比較器(64)用于比較可變電阻的實際電阻值R_c與可變電阻的目標電阻值ΔR，并將比較結果Vo傳輸給判斷電路；

判斷電路(65)，所述判斷電路(65)通過判斷Vo的狀態來調整由數字位C<k:1>控制的所述電阻陣列的開關的合上與打開。