[發(fā)明專利]一種含有InAs量子點結(jié)構(gòu)的多結(jié)太陽電池

無效

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• 申請日: 2011-12-14
• 公開（公告）號: CN102437227A
• 公開（公告）日: 2012-05-02
• 發(fā)明（設計）人: 張小賓;袁小武;李愿杰;江瑜;張中偉;胡蘊成
• 申請（專利權(quán)）人: 中國東方電氣集團有限公司
• 主分類號: H01L31/076
• 分類號: H01L31/076;H01L31/0725
• 代理公司: 成都天嘉專利事務所(普通合伙) 51211
• 代理人: 方強

1.一種含有InAs量子點結(jié)構(gòu)的多結(jié)太陽電池，其特征在于：包括電極、多結(jié)太陽電池材料和減反射膜，所述多結(jié)太陽電池材料的上表面設置有減反射膜，減反射膜上方設置有電極，同時多結(jié)太陽電池材料的下表面也設置有電極；

所述多結(jié)太陽電池材料按照層狀結(jié)構(gòu)從下至上包括有襯底、底電池、中間電池、頂層電池，所述襯底為半導體單晶片，底電池是p-i-n結(jié)構(gòu)的InAs/GaAs量子點太陽電池，中間電池為GaInAs太陽電池，頂層電池為GaInP太陽電池，底電池與中間電池之間通過隧道結(jié)連接，中間電池與頂層電池之間通過隧道結(jié)連接。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多結(jié)太陽電池，其特征在于：所述半導體單晶片為Si，或者Ge，或者GaAs。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的多結(jié)太陽電池，其特征在于：所述作為底電池的p-i-n結(jié)構(gòu)的InAs/GaAs量子點太陽電池，按照層狀結(jié)構(gòu)從下至上依次包括p型GaAs材料層、未摻雜的InAs/GaAs量子點結(jié)構(gòu)層、n層GaAs材料層。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的多結(jié)太陽電池，其特征在于：所述底電池與中間電池之間的隧道結(jié)為n⁺-GaAs層和p⁺-GaAs層，其中p⁺-GaAs層位于n⁺-GaAs層上方。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的多結(jié)太陽電池，其特征在于：所述中間電池與頂層電池之間的隧道結(jié)為n⁺-GaAs層和p⁺-AlGaAs層，其中p⁺-AlGaAs層位于n⁺-GaAs層上方。

6.根據(jù)權(quán)利要求2或5所述的多結(jié)太陽電池，其特征在于：所述多結(jié)太陽電池材料是采用金屬有機化合物化學氣相沉積技術(shù)或分子束外延技術(shù)生長成含有InAs/GaAs量子點結(jié)構(gòu)的多結(jié)太陽電池材料，該多結(jié)太陽電池材料以半導體Si單晶片或者Ge單晶片或者GaAs單晶片為襯底，以p-i-n結(jié)構(gòu)的InAs/GaAs量子點太陽電池作為底電池，以GaInAs太陽電池為中間電池，以GaInP太陽電池為頂電池，子電池之間采用隧道結(jié)相連接。